モリ電子工業の製品・サービス一覧

『FMG50AQ120N6』は、TO-247-4Lパッケージ(絶縁)のSiC MOSFETです。 両面はんだ接合による配線抵抗の低減と強固な接合を実現。 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵しており、高いノイズ耐性がございます。 産業用インバーターや無停電電源装置(UPS)、各種スイッチング電源などに 好適です。ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『DCA 200/240DB』は、高放熱、高信頼性モデルのダイオードモジュールです。 新設計の低積層構造により放熱性を改善し、チップに対する熱応力を大幅に 低減したことで約2倍のパワーサイクル耐量を実現(当社従来品比)。装置の 信頼性向上に寄与します。 この他、専用に設計されたガラスパッシベーション型高耐圧チップを採用 した「DCA200DB220」と、放熱性の高い特殊材料を内部絶縁層に採用した 「DCA240EB」もご用意しております。 【特長】 ■低積層構造による高放熱化(低熱抵抗化)を実現 ■内部設計と材料の最適化で20％の軽量化を実現し(当社従来品比)、 　装置の軽量化に貢献 ■環境に配慮した完全鉛フリーはんだを全機種に採用 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『SCA160/200DB・SCE160/200DB』は、完全鉛フリーはんだを採用した サイリスタ・ダイオードモジュールです。 低積層構造により、チップに対する熱応力を大幅に低減したことで 高いパワーサイクル耐量を実現。内部設計と材料の最適化により、 当社従来品に対して10％軽量化しました。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低積層構造の採用により高い放熱性を実現(信頼性向上) ■高di/dt耐量 ■軽量 ■環境対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『Techno Blockシリーズ』は、当社独自の両面はんだ接合、トランスファー モールド採用の小型・高放熱パッケージの半導体モジュールです。 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵しており、省スペース・変化の小さい オン抵抗などが特長。 産業用インバーターや無停電電源装置(UPS)、各種スイッチング電源などに 好適です。ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『GSA75AA120』は、UL規格対応のIGBTモジュールです。 小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ。高速性能に特化したIGBTを 採用し、IGBTに合わせて好適設計した高速ダイオードを搭載しております。 また、ヒートシンクへの直接取り付けが可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■優れた高速性能(40kHz～70kHz) ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う、IGBTモジュール『GSA100AA60』をご紹介いたします。 当社独自の専用IGBTチップの採用により低Vce(sat)を実現(1.21V Typ 125℃)。 無停電電源装置(UPS)などのバイパスACスイッチや表面処理用正逆反転パルス 電源などへの用途に好適です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低スイッチング周波数領域での低損失を追求 ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、産業機器用アプリケーション『トーテムポールブリッジレスPFC/ フルブリッジ SiC-MOSFETパワーモジュール』を取り扱っております。 お客様の様々なニーズにお応えすべく、業界トップクラスの性能を誇る 各種ブリッジダイオードをはじめ、多種多様なダイオード、低耐圧から 高耐圧までの幅広いパワーMOSFET、高耐圧パワーIC、パワー回路部品を 集約化したパワーモジュールなどをご用意。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型化(実装面積30％削減) ■サージ電圧を25％低減(独自の低インダクタンス構造) ■絶縁タイプ ■650V/20-50mΩSiC-MOSFETを4素子搭載 ■サンプルあり ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、超低VFブリッジダイオード『LMシリーズ』を 取り扱っております。 世界トップクラスの超低VFを実現。高サージ耐量(IFSM)になっており、 600V/25Aです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■超低VFを実現 ■高サージ耐量(IFSM) ■600V/25A ■量産中 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、PFC用第5世代FRD『Zシリーズ』を取り扱っております。 超高速FRDとなっており、リカバリ電流を40％削減。 低ノイズ(ノイズ対策部品の削減)の製品。 また、サンプルもご用意しております。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■超高速FRD ■リカバリ電流を40％削減 ■低ノイズ(ノイズ対策部品の削減) ■650V/10A、20A ■サンプルあり ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、産業機器用アプリケーション『SiCショットキバリアダイオード』 を取り扱っております。 新SiC-SBD(低VF)で、小型面実装パッケージとなっており、 AEC-Q101準拠(予定)。 また、サンプルもご用意しております。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■新SiC-SBD(低VF) ■小型面実装パッケージ ■AEC-Q101準拠(予定) ■650V/5A,10A ■サンプルあり ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、産業機器用アプリケーション『SiC MOSFET』を 取り扱っております。 世界最高レベルの低損失を実現。超高耐圧な製品です。 また、サンプルもご用意しております。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■世界最高レベルの低損失を実現 ■超高耐圧 ■高速スイッチング ■650V/15mΩ、60mΩ ■サンプルあり ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

株式会社三社電機製作所製『SiC MOSFET(TO-247-4L)』は、 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵した産業用パワー半導体です。 高電流密度へ対応。独自の端子構造による配線抵抗の低減と強固な接合を 実現し、従来比で4倍以上の電流密度に到達するSiCチップの性能を引き出します。 また、パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を 実現します。 【特長】 ■絶縁構造と高放熱を実現する好適パッケージ ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。