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サンインスツルメント株式会社 本社

設立1988年8月1日
資本金5000万
従業員数7名
住所東京都品川区西五反田2-26-9五輪プラザビル 4階
電話03-5436-9361
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最終更新日:2026/04/03
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光学系 光学系
レーザー・光源・光アンプ

レーザー・光源・光アンプ

レーザー・光源・光アンプの製品となります。

波長607nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長607nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長604nmのオレンジ(橙色)レーザーです。空冷で、最大600mWの平均パワーです。

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波長612nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長612nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長612nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大100mWの平均パワーです。

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波長613nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長613nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長613nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大20mWの平均パワーです。

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波長618nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長618nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長618nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大20mWの平均パワーです。

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波長627nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長627nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長627nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大200mWの平均パワーです。

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波長631nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長631nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長631nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大1000mWの平均パワーです。

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波長633nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長627nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長633nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大200mWの平均パワーです。

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波長635nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長635nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長635nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大1000mWの平均パワーです。

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波長637nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長637nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長637nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大4000mWの平均パワーです。

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波長638nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長638nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長638nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大30mWの平均パワーです。

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波長639nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長639nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長639nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大3500mWの平均パワーです。

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波長650nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長650nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長650nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大3500mWの平均パワーです。

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波長656.5nm・CW レッド(赤色)レーザー

波長656.5nmのCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長656.5nmの レッド(赤色)レーザーです。空冷で、最大1000mWの平均パワーです。

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近赤外・中赤外OPO

高い信頼性を誇るフェムト秒レーザーをポンプ光源として搭載した完全空冷モデル!

当社では、Chromacity社の1.4-4.2μm/4.5-12μm波長可変 「近赤外・中赤外OPO」をご提供しております。 近赤外モデル「Auskerry」は1.4~4.2μm、中赤外モデル「Haskeir」は 4.5~12μmのレンジをカバー。 Wi-Fiを使いパソコンからワイヤレスで制御可能です。 FTIR、ガス分析、量子研究などの分野で有効なレーザーです。 【近赤外モデル・Auskerryの仕様(抜粋)】 ■中心波長:Tuneable 1.4μm-4.2μm ■パルス幅:<3ps typ.(<5ps max) ■繰り返し周波数:100MHZ ■空間ビームモード:Single ■偏光:Linear ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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波長可変2μm CW狭線幅・外部共振器型レーザー

波長2.3~2.5μmとワイドな可変レンジのモデル!2μmレンジの分光用途に適している

当社では、Littman/Metcalfキャビティの波長可変・狭線幅の 「外部共振器型レーザー」をご提供しております。 波長2.3~2.5μmとワイドな可変レンジのモデルです。DCモーター オプションによりソフトウェアで波長のチューニングが可能。 また、2μmレンジの分光用途に適したレーザーです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【仕様】 ■波長可変レンジ:2300.0nm-2500.0nm(自動波長可変オプション付き) ■空間出力パワー:3mW@2400nm ■線幅(1ms):<100kHz ■サイドモード抑圧比:>40dB ■波長微調整レンジ:~0.41nm per 26V with piezo actuator ■モードホップフリーレンジ:30GHz@2400nm ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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波長1535m 超小型ナノ秒レーザーモジュール

コイン2枚サイズの超小型レーザーモジュールです。

メーカー:Beijing RealLight Technology(中国) ダイオード励起・パッシブQスイッチ型レーザーです。レーザー増幅媒質として**エルビウムガラス(Er:Glass)**を使用しており、波長1535nmのアイセーフ(目に安全な)レーザーとして高い安全性を誇ります。網膜へのダメージを抑えつつ、精密なレーザー照射が可能です。高性能かつコンパクトな設計により、本製品はアイセーフ距離計測器、材料分析機器、センサーシステムなど、さまざまな分野で広く活用されています。 ------------------------------------------------------ 特長 ------------------------------------------------------ モデル:R1535 ● 波長:1535nm(アイセーフ) ● パルスエネルギー:5μJ~2mJ ● 繰返し周波数:1Hz~10kHz ● 小型・軽量設計(最小重量8g) ● 広い温度範囲での動作:-40℃~+65℃ ● 完全密閉構造で高い信頼性

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波長350-2150nm・小型・高出力単一周波数レーザー

単一周波数のCWレーザーです。ダイオードレーザーで不可能なパワーレベルを提案することができます。

メーカー:Vexlum(フィンランド) Vexlum社の新製品はOEM向けに開発されたコンパクトなレーザーです。VECSEL(Vertical External-Cavity Surface-Emitting Laser・垂直外部共振器形面発光レーザー)タイプの単一周波数レーザーは、350nmから2150nmの範囲で製作が可能、近赤外レンジにおいてはmax 10Wのパワー、瞬時線幅100Hzといった特徴があります。省スペースおよび高出力が必要な精密計測の用途においては、唯一の選択肢となるレーザーです。

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波長1.0/1.5µm・超高速GHz繰り返しピコ秒レーザー

Max 40GHzまで可能な超高繰り返しのアクティブモードロックレーザーです。

メーカー:PriTel(アメリカ) PriTelの超高速光クロック「UOC」シリーズは、Max. 40GHzの繰り返しまで可能なピコ秒アクティブモードロックのファイバーレーザーです。1.5µmモデルの他1µm・775nmのラインアップ&波長可変、バンドパスフィルターカートリッジの交換によるパルス幅の可変、モニターに便利な3つの光ポート(メイン以外)は、ラボユースに最適なレーザーです。別途補助デバイスも豊富に取り揃えており、パワーアップできる光アンプ、パルスを間引くパルスピッカー、繰り返し周波数を逓倍化する光クロックマルチプライヤ、パルス幅を圧縮するパルスコンプレッサなどのデバイスを提案可能です。

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波長765 - 1570 nm・イメージング用フェムト秒レーザー

波長固定モデルから可変モデルまで、様々な仕様が可能なフェムト秒レーザーです。

メーカー:Prospective Instruments(オーストリア) Onefiveの元社長が立ち上げたProspective Instruments社(オーストリア)のフェムト秒レーザーは、前社同様OEM向けに開発された24時間駆動・空冷のフェムト秒レーザーです。Onefiveで実績のあるパルス幅<140fs・低ノイズを特徴とするオシレータはクリーンな光スペクトルにより、顕微鏡・分光用途に非常に使いやすいレーザーとなっています。波長固定(780nm・920nm・1030nm)から可変モデル(765~1570nm)とユーザーのニーズに合わせ柔軟に対応可能です。外部同期・水冷・ピコ秒パルスなどのオプションにも対応します。

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波長355nm・1mJ・低価格ナノ秒DPSSレーザー

紫外波長355nmのナノ秒パルスレーザーです。パルスエネルギー1mJ @ 3kHzモデルです。低価格でご提供いたします。

メーカー:CNI Laser(中国) 波長355nm・平均パワー3Wの高エネルギーDPSSレーザーです。短パルス<15ns、繰り返し1-10kHz可変、パルスエネルギー1mJ @3kHzの仕様です。制御はコントローラおよびパソコン(専用ソフト)にて行います。外部トリガーにも同期できる優れもので、何よりもコスト効率が高いレーザーです。空冷でコンパクトな筐体は研究のみならずOEM用途にも適したレーザーです。

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波長606nm・2W・CW単一周波数レーザー

単一周波数のCWレーザーです。波長606nm・2Wと、ダイオードレーザーで不可能なパワーレベルを提案することができます。

メーカー:Vexlum(フィンランド) Vexlum社のハイパワーVECSEL(垂直外部共振器形面発光レーザー)・SHGモデルです。平均パワー2W・瞬時線幅100Hzが特徴で、606nmのSHGビームに加え、基本波の出力ポートも備えています。波長粗調整は複屈折フィルタ、微調整はピエゾ・エタロンにて行います。いくつかのオプションを追加することにより周波数ロックも可能と、多くの理化学用途に対応できるレーザーです。

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Up to 20GHz・高速フォトダイオード・フォトレシーバ

波長800-1650nm・帯域20GHまで対応可能なフォトダイオード・フォトレシーバです。

メーカー:Discovery Semiconductors(アメリカ) Discoveryの10G InGaAsフォトダイオード・フォトレシーバは850nm〜1650nmの波長範囲に対応しており、光通信、ケーブルテレビ、マイクロ波フォトニクスなどの用途に適しています。これらの10G InGaAs APDは、リニアまたはリミティングのTIAとともに提供され、宇宙仕様適合デバイスも選択可能です。 ------------------------------------------------------ ラインアップ ------------------------------------------------------ ● InGaAs PIN フォトダイオード:6~20 GHz ● (PIN or APD) + TIA フォトレシーバ:10~20 GHz ● (PIN or APD) + TIA + LIM デジタルフォトレシーバ:10 Gb/s ● バランスPINフォトダイオード:5~20 GHz ● バランスPIN + (TIA or LNA) フォトレシーバ:20 GHz

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波長248 - 365nm・CW UV(紫外)DPSSレーザー

波長261・266・320・335・349・355・360nmにてワットレベルのパワーを実現したCWレーザーです。

メーカー:CNI Laser(中国) CNl Laserの高出力UV連続発振(CW)レーザーのご紹介です。同社のレーザー製品は、長寿命設計と高い信頼性を兼ね備えており、長時間の連続運転が求められる産業用途や研究用途においても安定したパフォーマンスを発揮します。堅牢な筐体設計により、振動や温度変化などの外部環境の影響を最小限に抑え、安定した出力と優れたビーム品質を維持します。また、高出力でありながら優れたビームプロファイルを実現しているため、精密な加工や高解像度の計測が必要なアプリケーションにも対応できます。これらの特長により、CNlのUV CWレーザーは、半導体検査、UVラマン分光法、3Dプリンティング、LDI(レーザーダイレクトイメージング)など、高度な技術分野で幅広く採用されています。研究開発から量産ラインまで、多様なニーズに応える高性能UVレーザーソリューションを提供します。

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宇宙環境適合・高速フォトダイオード・フォトレシーバ

激しい温度変化・超高真空といった過酷な宇宙環境に対応可能なフォトダイオード・フォトレシーバです。

メーカー:Discovery Semiconductors(アメリカ) Discoveryの宇宙仕様適合モデルのご紹介です。過酷な環境である宇宙空間においても性能を損なうことなく動作が実証されている、信頼性の高いモデルになります。 ------------------------------------------------------ ラインアップ ------------------------------------------------------ ● InGaAs PIN フォトダイオード:波長800〜1650 nm up to 1 GHz ● InGaAs PIN フォトダイオード:波長800~2400nm up to 400 MHz ● InGaAs バランス AGC フォトレシーバ:up to 4 GHz

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波長2ミクロン対応高速フォトダイオード・フォトレシーバ

波長1200~2200nm・帯域22GHzまで対応可能なフォトダイオード・フォトレシーバです。

メーカー:Discovery Semiconductors(アメリカ) Discovery社は、高速・2.2µmカットオフ・冷却不要のInGaAs SWIRフォトレシーバの製品化で長年にわたり成功してきました。2002年2月にLIDARコミュニティ向けにPIN+TIAフォトレシーバをリリース、2012年には20GHzまでの高速フォトダイオードや、18GHzまでのリニアバランスフォトレシーバを製品ラインナップに拡充しました。これらの製品は、生物医学や環境センサーなど多様な分野での新たな応用を生み出しています。 ------------------------------------------------------ ラインアップ ------------------------------------------------------ ● 波長2.2µm InGaAs フォトダイオード・ハイパワー対応 up to 5GHz ● 波長2.2µm InGaAs フォトダイオード・高速帯 up to 20GHz ● 波長2.2µm フォトレシーバ

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ハイリニア高速フォトダイオード『HLPD』

高いリニアリティ(線形性)・プログラマブル機能を持つフォトダイオードです。

メーカー:Discovery Semiconductors(アメリカ) DiscoveryのHLPDフォトダイオードは、高出力かつ高線形性を特長とする光電変換デバイスです。最大22GHzの広帯域動作と高いRF出力性能を備え、光信号を高精度に電気信号へ変換します。サーモエレクトリッククーラー(TEC)と温度センサーを内蔵し、安定した動作と低ノイズ化を実現。RF over Fiberや光マイクロ波発振器・計測用途など、広帯域かつ高ダイナミックレンジが求められる先端アプリケーションに最適です。 ------------------------------------------------------ ラインアップ ------------------------------------------------------ ● TE冷却ハイリニアフォトダイオード (xHLPD) ● ハイリニア InGaAsフォトダイオード (HLPD) Lab Buddy up to 22GHz

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Up to 50GHz・高速フォトダイオード・フォトレシーバ

波長800-1650nm・帯域50GHまで対応可能なフォトダイオード・フォトレシーバです。

メーカー:Discovery Semiconductors(アメリカ) 1997年にテキサス州ダラスで開催されたOptical Fiber Communication Conference(OFC)にて、商用化された最初の40 GbデュアルデプションInGaAs/InP p-i-nフォトダイオードを発表しました。以来、40Gb用のバランスフォトダイオードや最大60 GHzまでの超高速フォトダイオードなどの最先端製品を開発してきました。 ------------------------------------------------------ ラインアップ ------------------------------------------------------ ● InGaAs PIN フォトダイオード:~60 GHz ● (PIN or APD) + TIA フォトレシーバ:~56 Gbaud ● バランスPINフォトダイオード:40 Gb/s ● バランスPIN + (TIA or LNA) フォトレシーバ:40 G DPSK・DQPSK

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ワイドバンドRFアンプ

波長800-1650nm・帯域50GHまで対応可能なフォトダイオード・フォトレシーバです。

メーカー:Discovery Semiconductors(アメリカ) 30kHzから45GHzまでのワイドバンドRFアンプ、最大20GHzの調整ゲインレンジとバンド幅を持つリニア差動アンプ、最大20GHzのリミティング差動アンプ、そして35〜70GHzの狭帯域RFアンプを製造しています。すべてのRFアンプには各々の電源が内蔵されています。 ------------------------------------------------------ ラインアップ ------------------------------------------------------ ● ワイドバンドRFアンプ 30kHz - 45GHz ● ワイドバンド・リニア差動RFアンプ 30kHz - 20GHz アジャスタブルゲイン ● ワイドバンド・リミッティング差動RFアンプ 30kHz - 20GHz ● Q/V-band RFアンプ 35GHz - 70GHz

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