『FeRAM​（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッテリバックアップ不要 ■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要 ■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能のメモリLSIを、永年にわたって提供しています。近年の小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、メモリを組み合わせた最適なソリューションも提案しています。

当社は、E Ink Holdings Inc.と共同で、電子ペーパーディスプレイの 表示をUHF帯無線給電により、バッテリーレスで書換えることが可能な 技術を開発しました。 近接通信のNFCと違い、このUHF帯の技術を使用することにより、 従来密着のみであったデータ書換え時の通信距離を大幅に改善し、 電子ペーパーとUHF帯RFIDを組み合わせた新たなアプリケーションの 創造が期待できます。 ■特長 このバッテリーレス電子ペーパータグ新技術は、当社のバッテリーレス ソリューション向けの UHF帯 RFID LSI「MB97R8110」によって 実現されています。 MB97R8110のユーザーメモリ領域には、不揮発性、高速書込み、 低消費電力を特長にもつFeRAM​を使用しています。 従来の電子ペーパータグは、あらかじめ内蔵メモリに保存された データを表示するだけでしたが、FeRAM​を使用することで、 画像データを任意に転送、かつ短時間で書換えることを可能と しています。

当社は、FeRAM​ の製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8Mビット FeRAM​「MB85R8M2T」を開発しました。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレル インターフェースをもつ不揮発性メモリです。 これまでの最大4MビットFeRAM​のメモリ容量増加や、既に使用中の 8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能な メモリです。 工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用して いるSRAMを、本FeRAM​に置き換えることでバッテリーが不要となり、 メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの 削減に貢献できます。 ■主な仕様 　・製品名：MB85R8M2T 　・容量（メモリ構成）：8Mビット（512K x 16ビット） 　・インターフェース：パラレルインターフェース 　・動作電源電圧：1.8V～3.6V 　・動作温度範囲：-40℃～＋85℃ 　・書込み/読出し保証回数：10兆回 　・パッケージ：48ピンFBGA （8 mm × 6 mm）

当社は、125℃動作を保証するFeRAM​製品ファミリーでは初の電源電圧が 5Vの製品として、SPIインターフェースをもつ64Kビット FeRAM​ 「MB85RS64VY」を開発しました。 ■主な仕様 　・製品名：MB85RS64VY 　・容量（メモリ構成）： 64Kビット（8K x 8ビット） 　・インターフェース： SPI 　　（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 　・動作周波数： 最大33MHz 　・動作電源電圧： 2.7V～5.5V 　・動作温度範囲： -40℃～＋125℃ 　・書込み/読出し保証回数： 10兆回（1013回） 　・パッケージ： 8ピンSOP、8ピンSON ■用途例 温度センサーなど5V動作の電子部品が使用されている車載向け 電装品および産業機械向けに最適です。

当社は、-55℃という非常に低い温度環境下での動作を保証するメモリ として、64KビットFeRAM​ 「MB85RS64TU」を開発し、量産品を 提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジの動作電圧範囲をもち、 競合メモリよりも低温動作が可能な不揮発性メモリです。 -55℃の低温でも10兆回のデータ書換え回数を保証しており、 特に極寒地域での天然ガスやオイルの発掘に使われるフィールド装置 などの産業機械向けとして最適です。 ■主な仕様 　・製品名： MB85RS64TU 　・容量（メモリ構成）： 64Kビット（8K x 8ビット） 　・インタフェース： SPI（シリアル・ペリフェラル・インタフェース） 　・動作周波数： 最大 10MHz 　・動作電源電圧： 1.8V～3.6V 　・動作温度範囲： -55℃～+85℃ 　・書込み/読出し保証回数： 10兆回 　・パッケージ： 8ピンSOP、8ピンSON ■用途例 本FeRAM​は低温環境下だけではなく、一般的な計測機器、流量計、 ロボットなどの産業分野にも利用できます。

当社は、125℃の高温環境下において 低動作電流および10兆回のデータ書き換え回数を保証する I2Cインターフェースの車載向けFeRAMを取り揃えています。 今回新たに、最大容量となる 512KビットFeRAM『MB85RC512LY』をラインアップに追加。 ADAS（先進運転支援システム）をはじめとする車載用途のほか、 産業用ロボットなどにも適しています。 【特長】 ■1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作 ■最大3.4MHzで動作したときの動作電流は最大0.4mA ■-40℃～＋125℃の温度範囲において10兆回のデータ書き換え回数を保証 ■リアルタイムでのデータ記録を必要とする用途にも好適 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

当社のバッテリーレスソリューションは、当社不揮発性メモリFeRAM​製品を 搭載したRFIDの給電の仕組みを利用し、タグ側に付加したデバイスを バッテリーなしで動作させる技術です。 お客様のアプリケーションに沿ったソリューションを提供します。 ■バッテリーレスソリューションによる効果 ＜ユーザーからのメリット＞ 　・電池交換不要（購入不要、確保不要） 　・ケーブルレスによりモビリティ向上、置き場所の自由度が向上 ＜機器開発メーカーのメリット＞ 　・電池ボックス削減により、デザイン性（薄型化、小型化）の自由度が 　　上がる 　・防水、防塵加工が容易となる

125℃での動作を保証するFeRAM​ファミリーとしては最大メモリ容量となる 2MビットFeRAM​「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を 開始しました。 本製品は125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数を 保証する不揮発性メモリです。 リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、 かつ、停電時でもデータが消えません。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS2MTY ・容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.8V～3.6V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） ・パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN ・品質規格：AEC-Q100グレード1準拠 ■用途例 ・エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車 ・産業用ロボット

MB85RS2MLYは、-40℃～+125℃の温度範囲において10兆回のデータ書換えを保証しています。この特性は、リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しています。例えば、毎日0.1秒毎に10年間データを記録（30億回以上）することも可能です。加えて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。したがって、データ書込み回数と信頼性の両方の観点から、本製品はADASのような車の状態を常に検知し記録し続ける用途向けとして好適です。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS2MLY ・容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.7V～1.95V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） ・パッケージ：8ピンSOP、 8ピンDFN ・品質規格：AEC-Q100グレード1準拠

「FeRAM​」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM​「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM​。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 　パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM​」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 　“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

MB85RS1MTは、3.09 x 2.28 x 0.33mmの小型サイズです。両者を実装面積で比較すると、WL-CSPはSOPの約23%に相当し、約77%の実装面積の削減が可能です。 さらに、本小型パッケージは、クレジットカードの約半分となる0.33mmの薄さを実現しており、実装体積比ではSOPの約95%の体積を削減することができます。 リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAM​を導入することで、バッテリーの寿命延長あるいは小型化することが可能になります。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RS1MT ・メモリ容量（構成）： 1Mビット（128K x 8ビット） ・インタフェース： SPI （Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（＋85℃） ・パッケージ： 8ピンWL-CSP、8ピンSOP

本製品は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。汎用SRAMと互換性がある44ピンTSOPパッケージで提供しますので、SRAMを使用している産業機械、業務機器、医用機器では、設計基板を大幅に変更することなく、SRAMを本FeRAM​に置き換えることが可能です。それによって、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、そしてトータルコストの削減に貢献します。 ■主な仕様 ・容量（構成）： 4Mビット（256K×16ビット） ・電源電圧： 1.8V～3.6V ・動作温度範囲： -40℃～+85℃ ・書き込み/読み出し耐性： 10兆回（10 13回） ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・アクセスタイム アドレスアクセスタイム： 150ns（Min） /CEアクセスタイム： 75ns（Max） ・動作電流 動作電源電流： 20mA（Max） スタンバイ電流： 150uA（Max） スリープ電流： 20uA（Max） ・パッケージ： 44ピンTSOP

本製品は、1.8V単一電源で動作し、4本の入出力ピンをもつクワッドSPIインターフェースを採用することで、54Mバイト/秒のデータ転送速度を実現しています。 この高速動作と不揮発性メモリの特長により、ネットワーキング、RAIDコントローラ、産業用コンピューティング分野での使用に最適です。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RQ4ML ・メモリ容量（構成）： 4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース： SPI /クワッドSPI ・動作電源電圧： 1.7V～1.95V （単一電源） ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・パッケージ： 16ピンSOP

本製品は、エッジコンピューティングの拡大、センサー情報のデータ量の増大という環境の変化により、既存のEEPROMを使用しているお客様からの「書換え回数を増やしたい」、「書換え時間を短くしたい」、「メモリ容量を増やしたい」という要求に応えて開発されたメモリです。 本製品は、ドライブレコーダ/運行レコーダ、ロボット、工作機械、計測装置、メーター、民生機器などリアルタイムでの頻繁なデータログが必要とされる様々なアプリケーションに好適です。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RS4MT ・容量（メモリ構成）： 4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース： SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数： 最大40MHz ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・動作温度範囲： -40℃～＋85℃ ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・パッケージ： 8ピンSOP

I2Cインタフェースの当社製FeRAM​としては最大のメモリ容量となる1Mビット「MB85RC1MT」は、10兆回の書き換えを保証しており、リアルタイムログなど頻繁な書き換えが必要なFA制御機器、計測メータ、産業機械などへの使用に最適な製品です。 当社はI2CおよびSPIの両シリアル・インタフェースをもつFeRAM​製品のラインナップを幅広く揃え、お客様の要求に対して最適な不揮発性メモリ製品の提供が可能となっております。 ■ 特　長 本製品は、I2Cインタフェースの1Mビット（128Kワードx8ビット）FeRAM​「MB85RC1MT」です。-40℃～+85℃の温度範囲において、1.8V～3.3Vの低電圧で動作します。動作周波数はEEPROMと同等の1MHz動作に加えて、3.4MHzでの読出しと書込みができる高速モードをサポートしています。書き換え保証回数は汎用EEPROMを大きく上回る10兆回ですので、I2C製品においても、リアルタイムログなど頻繁なデータ書き換えを強力にサポートします。

「FeRAM​という製品をウェブ記事や広告で見たことがあるが、何か分からない」 または「FeRAM​はメモリというのを知っているが実際にどんな用途に 使われているかを知りたい」という声をお客様から伺います。 当資料では、前述の声の回答として、「FeRAM​とはどういうものなのか」 および「FeRAM​がどんなアプリケーションで使われているのか」をご紹介。 是非、ダウンロードしてご覧ください。 【掲載内容】 ■FeRAM​の概要 ■FeRAM​のラインアップ ■FeRAM​の特長 ■FeRAM​の実績 ■FeRAM​の商談事例 ■FeRAM​によるソリューション ■おわりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『FeRAM​の商談事例』についてご紹介いたします。 カーナビやドライブレコーダなどの車載向けアプリケーションでは、 "リアルタイムでのデータの連続記録"などがメモリに要求されます。 必要とされる特長は、高速書換え耐性、不揮発性、高速書込み。 当製品は、要求する特長を兼ね備えたメモリです。 「データを頻繁に取得したいが、メモリの書換え制限でできない」 「瞬断や停電のときに書込み中のデータ保護の対策が難しい」 このような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAM​をご検討ください。 【商談事例（抜粋）】 ＜車載向け＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでのデータの連続記録／アクシデント発生時でのデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『FeRAM​』は、半導体メモリのひとつで、強誘電体メモリとも呼ばれ、 電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。 当資料では「FeRAM​の基礎編」についてご紹介しております。 "FeRAM​の概要"をはじめ、"FeRAM​の商談事例"や"FeRAM​の実績"、 "FeRAM​の特長"や"課題と解決策"を掲載。 役に立つ一冊となっております。是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■FeRAM​の概要 ■FeRAM​の商談事例 ■FeRAM​の実績 ■FeRAM​の特長 ■課題と解決策 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAM​です。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM​ (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、高温環境で動作を保証するメモリが欲しいという、車載/産業分野のお客様の要望に応え、 2016年から車載対応FeRAM製品を開発し、提供しています。 これらの製品は、従来の製品の動作温度を125℃に拡張しただけではなく、内部回路の設計から 改めて見直すことで信頼性を向上させています。さらに、AEC-Q100の信頼性試験規格に準拠し、 PPAPに対応しています。 また、産業機械などモーター機構を搭載するアプリケーションでは、モーターによる発熱によって 高温になるため、高温環境下においても動作を保証できる電子部品が必要とされています。 当社は、これらの市場のニーズに対して、高信頼性・高性能の125℃動作が可能なFeRAMを提供しています。 【125℃動作のFeRAMの特長】 ■車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリア ■SPIインターフェース ■メモリ容量：64Kビット～4Mビットまで ※製品一覧の詳細は、下記のサイトをご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ

FeRAM（強誘電体メモリ）は、高速書込み・高書換え回数・低消費電力という特徴を持つ不揮発性メモリです。 本製品は、さらにチップ内にデータ処理（Data Processing）：バイナリカウンタ機能を内蔵しているため ロータリーエンコーダ用途に最適です。 また、動作温度も～125℃に拡張しております。 【特長】 ■高速書込み・高書換え回数 ■業界トップクラスの低消費電力でバッテリライフを長寿命化 ■バイナリカウンタ機能を内蔵 ■動作温度　－40℃～125℃ ■製品の小型に最適 ※詳しくは【PDFダウンロード】より資料をご確認ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

PLC、モーションコントローラ、サーボモーター、HMI等のファクトリー オートメーション用機器を幅広く手掛ける世界的なグローバルカンパニーである 顧客はPLCを始めとする幅広い製品でFeRAMを採用しています。 EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは書き込みの速度が遅く、 最終ユーザからの要求を満足する仕様の実現が厳しいことが明白でした。 高速な不揮発性メモリに採用を絞り、また市場での高い実績のある メモリとしてFeRAMが候補として挙がり、採用を決定しました。顧客はFeRAMを 採用した製品により、最終ユーザ数を更に増加させ、市場での評判と実績を 確実なものとしております。 【事例概要】 ■PLCにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、優れたデータ 　保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び長いシステム寿命の 　実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

PVインバータを始めとしたエネルギーストレージ、風量発電設備等の 再生可能エネルギー用設備を世界的に展開し、環境保全に先進的なグローバル カンパニーである顧客は、PVインバータにFeRAMを採用しています。 顧客は最終ユーザーから故障時の原因解析を確実に行うために、電流及び 電圧のデータを毎秒ロギングすることを求められておりました。ログを格納する メモリとして、EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは顧客の 製品の長い稼働期間に渡って動作し続けることに課題がありました。 そのため、高速書き込みと高書き換え耐性を持ち、かつ市場での高い実績のある FeRAMの採用により顧客製品の長い全稼働期間に渡って確実にログデータを 格納し、最終ユーザの要求を満足する製品の開発に成功しています。 【事例概要】 ■PVインバータにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、 　優れたデータ保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び 　長いシステム寿命の実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

EV Chargerは電力グリッドからの給電を受け、AC電力をEVのバッテリに 供給するACチャージャーとACから変換されたDC電力をバッテリーに供給する DC急速チャージャーがあり、FeRAMはそのどちらにも使用可能です。 FeRAMは停電や瞬停発生時でもEVに充電された電力を正確に記録し、 ユーザへの適切な課金を実現します。 更に電圧変動や周波数変動といったイレギュラーなイベントのロギングにより、 問題の要因特定に貢献します。 【推奨製品】 ■MB85RS2MTA ■MB85RS256B ■MB85RS64 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

無停電電源装置(UPS)におけるFeRAM活用事例を紹介します。 UPSは停電が発生した場合、バッテリーからのDC電圧を必要な振幅と 周波数のAC電圧に変換することにより継続的な電源供給を保証。 FeRAMはAC電圧波形を常時記録することにより、停電発生時における、 電力グリッドからの電力供給からバッテリーの電力供給へのシームレスな 電力供給を可能にします。 【推奨製品】 ■MB85RQ8MX ■MS85R4M2TA ■MB85RS512T ■MB85RS256B ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

FeRAMが採用されている事例では、元々利用していたEEPROMの性能不足による トラブルが原因でFeRAM搭載の検討を開始いただいたものがあります。 書き換え耐性においては、FeRAMとSRAMが要求を満たしていましたが、 障害によりシステム電圧が失われた際でもFeRAMの場合はバッテリの バックアップが不要というメリットがあり、FeRAMの採用が決まっています。 FeRAMの採用により製品の精度、寿命などの信頼性が向上し、またバッテリや キャパシタを使用するための周辺回路の削減につながり、シンプルの回路構成で お客様の開発コスト低減にも寄与しています。 【事例概要】 ■不測の障害でも迅速に復旧 ■ミリ秒単位のログデータも記録可能な高書き換え耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。