バンプ形成は、CSP・BGA・フリップチップ等、各種実装技術に欠かす事の 出来ないものです。弊社では、お客様の仕様・御予算に合わせて、 1枚からでも各種バンプ加工対応いたします。 ・スタッド法（チップのみ） Auスタッドバンプ： ワイヤー径18μｍ・25μｍ　2種（バンプ高さ・径により選択いただけます） また、2段・3段のバンプ加工も対応可能です　　 ・メッキ法 電解メッキ：　　 Au・Ni・Cu・Ag・Pt　等 半田各種（共晶・高融点） 鉛フリー半田（Sn-Ag・Au-Sn） （各種無電解メッキも対応いたします。） 　　　　　　　 ：基板は、ガラス・Si（シリコン）・フィルム等、対応可能です。 適用例：IC実装評価用TEG、メンブレン基板、カンチレバー、プローブ検査用基板　等

弊社では、成膜・フォトエッチング・メッキ等の技術を用い、 実装評価用のTEGチップを作成しております。お客様の御予算、仕様に合わせ、 標準品・カスタム品の選択が可能です。また少量からの対応も可能です。 お気軽に御相談下さい。 〔標準品仕様〕 基板：φ6インチ×0.625mmt Siウエハー チップ寸法：10mm×10mm 配線材：AL-Si 絶縁材：ポリイミド PAD寸法：100μｍ□　パッシベーション開口寸法：80μｍ径 PAD間ピッチ寸法：200μｍ 別途、下記仕様のチップもございます。 PAD寸法：90μｍ□　パッシベーション開口寸法：80μｍ径 PAD間ピッチ寸法：100μｍ 〔カスタム品〕 外形・デザイン等ご要求に応じ設計いたします。 配線材：アルミ、AL-Si、AL-Si-Cu、Au等の各種金属 絶縁材：有機膜、酸化膜、窒化膜　等 バンプ：金（Au）スタッドバンプ、電解メッキバンプ （Au・Ni・Cu・ハンダ・鉛フリーハンダ） ・ウエハーのバックグラインド加工も対応しております。 ・評価用の実装基板の加工対応もいたします。

【特徴】 ○仕様・御予算に合わせて、1枚からでも各種バンプ加工対応可能 ○基板は、ガラス・Si（シリコン）・フィルム等、対応可能 【対応】 ［スタッド法（チップ対応のみ）］ ○Auスタッドバンプ →ワイヤー径18μｍ・25μｍ　2種（バンプ高さ・径により選択可能） →2段・3段のバンプ加工も対応可能 ［メッキ法］ ○電解メッキ →Au・Ni・Cu・Ag・Pt　等 →半田（共晶・高融点） →鉛フリー半田（Sn-Ag・Au-Sn） →各種無電解メッキも対応可能 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○成膜・フォトエッチング・メッキ等の技術で、実装評価用のTEGチップ作成 ○予算、仕様に合わせ、標準品・カスタム品の選択が可能 ○少量からの対応も可能 ○ウエハーのバックグラインド加工も対応可能 ○評価用の実装基板の加工対応可能 【標準品仕様（２品種）】 ○ワーク基板：φ6″×0.625mmt Siウエハー ○チップサイズ：10mm×10mm ○配線材料：Aｌ-Si ○絶縁材料：ポリイミド ［パッド寸法：100μｍ角］ ○パッシベーション開口寸法：80μｍ ○パッド間ピッチ寸法：200μｍ ［パッド寸法：90μｍ角］ ○パッシベーション開口寸法：80μｍ ○パッド間ピッチ寸法：100μｍ 【カスタム品】 ○外形・デザイン等ご要求に応じ設計いたします。 ○配線材：Al、Aｌ-Si、Aｌ-Si-Cu、Cu、Au等の各種金属 ○絶縁材：有機膜、酸化膜、窒化膜　等 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

【掲載内容】 ○ご挨拶 ○加工技術のご案内 →試作加工：お客様の草案・設計をもとに研究・開発品の試作を承ります。 →製品受託加工：お客様の製品仕様をもとに安定した品質のものを生産します。 ○代表的な加工技術 ［研磨加工］ →ガラス等の基板を高精度に切削･研磨処理 →創業時から磨き上げた技術でニーズに合わせた加工が可能 ［成膜加工］ →主にガラス・Siウエハ・有機材などの基板へ膜付け加工 →ご要求の仕様にあわせて膜付け方法を選択致します。 →真空蒸着法・スパッタリングが代表例 →各種電極膜や光学用薄膜として精度の高いものを提供致します。 ［パターニング］ →主にフォトファブリケーション技術を用いたパターニング →代表例としてフォトエッチング法は高精細のパターニングが可能 →用途･目的に合わせた加工方法を提供致します。 ○会社概要 ○会社沿革 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。