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当社で取り扱う「GaN HEMT搭載ペルチェコントローラ」について、 ご紹介いたします。 ±0.1℃以下の温度安定性を確保できるリニア電流制御と、 必要最小限の電力投入による熱負荷の最適化を実現。 その他、当社ではシリコンAPD4素子を活用した「微弱光センサー」や 「アナログ変調LDドライバ」などの開発実績がございます。 【特長】 ■滑らかで高効率な電流制御 ■GaN HEMT搭載PWMインバータにより、最大95%以上の効率を実現 ■ペルチェ素子の寿命を延ばす波形制御 ■電力ロスを抑えたまま±8A/±20Vのハイパワー制御を可能に ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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