【特徴】 ○1インチ以下から450mmまで提供可能 ○各種成膜加工が可能 ○パーティクルグレード・モニターグレード等用途に合わせて紹介可能 ○ＥＰＩ受託加工 〇FZウェーハ 直径30mmから8インチ、0.1 ohmから10k ohm cmを超えるような高抵抗ウェーハを取り扱っております。 〇ＳＯＩウェーハ CZ・FZウェーハを使用した新規作成での対応も可能です。 新規作成の場合,最小枚数は10枚程度からのご提供になります。 直径：3inch-12inch SOI層：2-200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） SiO2(酸化膜）層：50nm-2um程度(0.1-10umも対応可能） 支持基板：300-725um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） 数量：在庫品の場合は数枚程度から対応可能 ＊基板支給をSOIウェーハに加工することも可能です。 〇拡散ウェーハなども対応可能 ○半導体製造装置テスト用：モニターウェーハ・ダミーウェーハ ○太陽電池用単結晶シリコンウェーハ・太陽電池用多結晶ウェーハ ●詳しくはお問い合わせ下さい。

【特徴】 ○実験用に小ロット（25枚）から可能　　　　　　　　 ○サブウェーハご指定も可能 ○エピ厚さ公差：6-10%以内(エピ厚さにより変わります） ○抵抗均一性公差：5-15%以内(抵抗により変わります） 【エピ受託加工】 ○直径：76、100、125、150mm ○ドーパント：Boron, Phosphine, Arsenic ○エピ抵抗率：0.1-800 ohm cm ○エピ厚さ：3-150μ 「多層EPIウェーハ加工」 ＊材料支給も対応可能です。 ＊数枚から加工可能です。 ＊基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。 ＊膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。 「SiGe Epiウェーハ」 ＊濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です。 ＊直径はMAX8インチまで対応可能です。　 ＊Ge濃度：20%, 60%などご希望の濃度をご指定下さい ＊基板にSiやSOIも使用可能です。 ＊多層膜にも対応可能です。 ●詳しくはお問い合わせ下さい。

【特徴】 ○膜種により2インチから４５０ｍｍウェーハへの成膜が可能 ○テストパターン付ウェーハ（6インチから12インチ）に対応 ○レチクルご支給による、露光/エッチングも対応（8インチと12インチ） ○レジスト塗布/露光/エッチングは4インチ～12インチまで対応可能 ○バックグラインダー：直径5インチ～12インチ ○ダイシング：直径5インチ～12インチ 【12インチ　対応可能膜種】 ○酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG ○窒化膜系：DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN ○金属膜系：TaN、Ta、Cu、Al、Al-Si、Al-SiーCu、Ni、W、W-Si-Cu ○その他：Poｌｙ-Si、A-Si、SiC、Low-ｋ（SiOC系、有機化学系） ●詳しくはお問い合わせ下さい。

CZ ハーフinch〜450mm(プライム/テスト・モニター/ダミーウェハ) ＊パーティクル管理されていないものなどもご紹介可能です。 ＊通常１カセット25枚ですが、在庫状況により少量でも対応可能です。 FZウェーハ2インチ〜8インチ ＊センサー向け1万Ωを超えるような高抵抗ＦＺ ＊中耐圧のパワーデバイス向けガスドープドシリコン ＊高耐圧のパワーデバイス向けNTDシリコン ＊太陽電池向けＦＺシリコン ＊通常１カセット25枚ですが、在庫状況により少量でも対応可能です。 多層EPIウェーハ加工 ＊材料支給も対応可能です。 ＊数枚から加工可能です。 SiGe Epi ＊~8インチ対応可能です。　 ＊Ge濃度・膜厚などご指定下さい ＊基板にSiやSOIも使用可能です。 ＊多層膜にも対応可能です。 SOI、SiC、GaAs、GaN、InP、ゲルマニウム、サファイア、ガラス、その他ウェーハも対応可能です。 成膜加工、Si各種加工品(特殊径・特殊厚み)、その他シリコンウェハ以外にも、化合物基板、高純度化学品、a-SiCパウダーなど幅広く取り扱っております。