エナテックの製品・サービス一覧

直径は３０ｍｍ程度～8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。 センサー用FZウェーハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウェーハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT･ダイオード等に利用されています。 ＊Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時には実測値の入ったメーカーのCofCをおつけします。 ウェーハへの加工も可能です。 仕様） 仕上げ: as ground 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 Ingot length (mm) : 200 - 400 第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二OF(mm) : N.A. タイプ：N-type Lifetime(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032±700,00 RRV [%] : N.A. ＊在庫は複数本ございます。

NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。

ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。 弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。 ★Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時にはメーカーのCofCをおつけします。 仕様 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 長さ(mm) : 200 - 400 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00 抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00 RRV [%] : N.A.

【取扱商品】 ＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 ＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等） ＊SOIウェーハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ＊パーティクル管理されていないダミーウェーハ（コインロール）も取り扱っております。 ＊各種加工：成膜・グラインダー(30μm以下も可能）ダイシング・エッジ部面取り加工・サイズダウン・パターニング・シリコン及び化合物半導体ウェーハ再生（リクレイム）・再洗浄、測定及び分析サービス等も対応可能。 　 シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。 化合物半導体や各種電子材料・ウェーハケース、トレイ、ダイシングテープなどの周辺用品もお問合せ下さい。 国内外より仕様に合う製品をお探しいたします。 他社でお買い上げ済みのウェーハに加工をして納品させていただく事も対応可能です。