【特徴】 ○直径3０ｍｍ程度～8インチ対応可能 ○10オーム程度から1万Ωを超えるような超高抵抗まで様々に対応可能 ○高ライフタイム・低酸素・低炭素 〇赤外線用ウインドウ, フィルター, レンズなども対応可能 〇抵抗帯により太陽電池用途などにも用いられます。 [センサー用高抵抗ＦＺウェーハ] ○パーティクル検査機・ＩＲ検査機等に利用可能 〇数千から1万ohmを超えるような高抵抗も可能です。 〇FZ法で製造され不純物が少ない高いライフタイムが特徴です。 [ハイパワーデバイス用ＦＺウェーハ] ○サイリスター・IGBT(＞1200V)等に利用可能 ○抵抗のバラつきが少ない 〇中性子照射を行っており抵抗のばらつきが非常に少なく抑えれれています。 [中耐圧用ＦＺウェーハ] ○IGBT(＞600V)・ダイオード等に利用可能 〇ガスドープで製造されています [高耐圧用ＦＺウェーハ] 〇高耐圧のIGBTなどに使用される中性子されたシリコンウェーハになります。 〇抵抗のばらつきが少ないことが特徴です。 ●詳しくはお問い合わせ下さい。

【特徴】 ○NTDシリコン（中性子照射シリコン） ○抵抗率の均一性に優れている ○電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用されている ○半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用可能 【仕様】 ○直径：50mm,　75mm,　100mm, 125mm, 150mm, 200mm ○結晶方位：＜100＞or＜111＞ ○伝導型（ドーパント）：N(Phosphorus) ○抵抗率：30-500,600 オーム　程度 ○抵抗率公差：+/-10％　程度 ○面内抵抗率分布：< 3－8%　程度 ○キャリアライフタイム：> 200µsec ○酸素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ○炭素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ●詳しくはお問い合わせください。

【主な仕様】 ガスでドーパントされたFZシリコンになります。 ○直径：50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm , 200mm 〇抵抗は数ohmから数千程度まで対応可能です ○結晶方位：＜100＞or＜111＞(直径による） ○伝導型（ドーパント）：P(Boron) or N(Phosphorus) ○抵抗率公差：抵抗率により異なります ○面内抵抗率分布：抵抗率により異なります ○キャリアライフタイム：抵抗率により異なります ○酸素・炭素濃度 ：＜2.0 × 10(16)atoms/cm3 程度 25枚もしくは在庫状況により小ロットから対応可能です。 ●詳しくはお問い合わせください。

CZ ハーフinch〜450mm(プライム/テスト・モニター/ダミーウェハ) ＊パーティクル管理されていないものなどもご紹介可能です。 ＊通常１カセット25枚ですが、在庫状況により少量でも対応可能です。 FZウェーハ2インチ〜8インチ ＊センサー向け1万Ωを超えるような高抵抗ＦＺ ＊中耐圧のパワーデバイス向けガスドープドシリコン ＊高耐圧のパワーデバイス向けNTDシリコン ＊太陽電池向けＦＺシリコン ＊通常１カセット25枚ですが、在庫状況により少量でも対応可能です。 多層EPIウェーハ加工 ＊材料支給も対応可能です。 ＊数枚から加工可能です。 SiGe Epi ＊~8インチ対応可能です。　 ＊Ge濃度・膜厚などご指定下さい ＊基板にSiやSOIも使用可能です。 ＊多層膜にも対応可能です。 SOI、SiC、GaAs、GaN、InP、ゲルマニウム、サファイア、ガラス、その他ウェーハも対応可能です。 成膜加工、Si各種加工品(特殊径・特殊厚み)、その他シリコンウェハ以外にも、化合物基板、高純度化学品、a-SiCパウダーなど幅広く取り扱っております。