日本エンギスの製品・サービス一覧

精密両面ラッピングマシーンEJD-6BYは、特に平行度要求の厳しい素材のラップ加工に適しています。

今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は 重要な課題です。 その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト 削減を実現した加工事例をご紹介いたします。 【研磨結果】 ■表面粗さ＜0.5nm (後工程CMP) ■TTV＜2μm/Warp＜10μm ■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と 　固定砥石 『MAD Plate』を使用することで 　SiCの両面研削加工を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)、PCD（焼結ダイヤモンド）などの基板は 硬く脆い性質を持った研磨加工の難しい素材です。 その中でも、特に加工の困難な焼結ダイヤモンドの 研磨を実現した加工事例をご紹介いたします。 【研磨結果】 ■表面粗さ＜3nm ■加工時間4時間（従来の方法での加工時間10時間） ■高速高圧研磨装置『EJW-400HSP』と 　固定砥石 『MAD Plate』を使用することで 　6時間の加工時間の短縮を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

EBM-250HCは、ウエハと貼り付け盤(セラミックプレート)のボンディング工程の為に、設計開発された装置です。ウエハの厚みや平坦度、反り、平行度などを高精度に実現する為のラッピング工程の前後でご使用頂けます。

EBM-250HSCは、ウエハと貼り付け盤(セラミックプレート)のボンディング工程の為に、設計開発された装置です。ウエハの厚みや平坦度、反り、平行度などを高精度に実現する為のラッピング工程の前後でご使用頂けます。