【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側に高感度フォトトランジスタを採用 ○分離型フォトセンサ ○受光側、発光側単体としても使用可能 ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（1～100mm) ○ローコストタイプ ○その他シリーズ：フォト IC 出力（デジタル出力）　KB1240，1241 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 100 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.2 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：19 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：28 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特長】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側に変調式フォト IC を採用 ○光同期検出型の分離型フォトセンサ ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（max.400mm) ○ローコストタイプ ○KB892 より小型化 ○光変調方式のため、外乱光等のノイズに強い ○リード線長、コネクタ形式の指定可能 ○長距離検出が可能 ○抜け防止強ロック機構付きコネクタ採用 ○その他シリーズ：コネクタタイプ　KB1281 ・スリット内蔵の高精度検出タイプも有り 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めハーネスタイプ ○検出距離（mm）： 400 ○外乱光許容照度（lux）：2000 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側に高感度フォトトランジスタを採用 ○分離型フォトセンサ ○受光側、発光側単体としても使用可能 ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（1～100mm) ○ローコストタイプ ○その他シリーズ：光変調型フォト IC 出力（デジタル出力）　KB1281 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 100 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.2 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：19 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：28 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側に変調式フォト IC を採用 ○光同期検出型の分離型フォトセンサ ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（max.400mm) ○ローコストタイプ ○光変調方式のため、外乱光等のノイズに強い ○長距離検出が可能 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：コネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 400 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →出力形態：オープンコレクタ →動作モード@入光時：LOW →外乱光許容照度（lux）：2000 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側に高感度フォトトランジスタを採用 ○分離型フォトセンサ ○受光側、発光側単体としても使用可能 ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（1～100mm) ○ローコストタイプ ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：コネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 100 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.3 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：24 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：25 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォト IC出力を組合せ ○アクチュエータータイプの透過型フォトセンサ ○レバー形状はAALF-01レバー・AALF-02レバーの2種類から選択可能 →その他カスタムレバーにも対応可能 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ ○取付タイプ：KA1335・1336　R側取付タイプ / KA1345・1346　L側取付タイプ ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →出力形態：オープンコレクタ →動作モード@入光時：KA1335・1345　HIGH / KA1336・1346　LOW ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特長】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用 ○アクチュエータータイプの透過型フォトセンサ ○ハーネス付の小型パッケージ ○スナップインタイプ ○カスタムレバーにも対応可能 ○抜け防止強ロック機構付きコネクタ採用 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○ハーネス付の小型パッケージ ○スナップインタイプ ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流(mA)min.： 0.3 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを組合せた ○プリズム対応反射型フォトセンサ ○物体位置検出精度が高い ○反射率の低い紙幣、黒紙などの有無検出が可能 ○センサ･プリズム間ギャップを任意に設定可能 ○２連分離型センサとしても使用可能 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○検出距離（mm）：30 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流(μA)min.：500 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：24 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：27 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを組合せ ○プリズム対応反射型フォトセンサ ○物体位置検出精度が高い ○反射率の低い紙幣、黒紙などの有無検出が可能 ○センサ･プリズム間ギャップを任意に設定可能 ○２連分離型センサとしても使用可能 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ ○検出距離（mm）：20 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流(μA)min.：300 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：22 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：22 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを組合せ ○プリズム対応反射型フォトセンサ ○物体位置検出精度が高い ○反射率の低い紙幣、黒紙などの有無検出が可能 ○センサ･プリズム間ギャップを任意に設定可能 ○２連分離型センサとしても使用可能 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○検出距離（mm）：20 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流(μA)min.：300 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：22 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：22 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

光センサに特化し、お客様のニーズを満たす製品を生み続けている新光電子のフォトセンサの総合カタログです。 全259ページの大ボリューム。既存製品だけでなく、必要に合わせて調整も行えます。

★「センサエキスポジャパン2018」に出展します★ 日時：9月26日(水)～28日(金) 10:00～17:00 会場：東京ビッグサイト　東ホール ※詳細などはお気軽にお問い合わせください。

※お問い合わせもお気軽にどうぞ。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトIC受光素子（デジタル出力）採用 ○分離型フォトセンサ ○発光側、受光側単体としても使用可能 ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（1～100mm) ○ローコストタイプ ○その他シリーズ：フォトトランジスタ出力 KB1242 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 100 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →出力形態：抵抗付 →動作モード@入光時：KB1240 HIGH / KB1241 LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：0.11 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.03 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特長】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側に変調式フォト IC を採用 ○光同期検出型の分離型フォトセンサ ○発光、受光間ギャップを長距離で設定可能（1～400 又は 800mm） ○ローコストタイプ ○光変調方式のため、外乱光等のノイズに強い ○その他シリーズ：ハーネスタイプ KB1246・フォトトランジスタタイプ KB1284 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを組合せた ○プリズム対応反射型フォトセンサ ○物体位置検出精度が高い ○反射率の低い紙幣、黒紙などの有無検出が可能 ○センサ･プリズム間ギャップを任意に設定可能 ○２連分離型センサとしても使用可能 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ ○検出距離（mm）：20 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流(μA)min.：300 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：22 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：22 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○赤色と赤外の発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込み ○２波長発光ダイオード ○赤色（λp：660nm）及び赤外（λp：890nm）２波長LED ○TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性 ○指向角が狭く（θ：±10°）、高出力 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →ピーク発光波長(nm)： 660/890 →発光出力(mW)：0.35/3.20 →指向角(半値)：10 ○赤色/赤外 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○高出力の赤外発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込み ○赤外発光ダイオード ○高出力赤外LEDを使用（λp：940nm） ○TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →ピーク発光波長(nm)： 940 →発光出力(mW)：3.3 →指向角(半値)：7 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○高出力の赤外発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込み ○赤外発光ダイオード ○超高出力赤外LEDを使用（λp：890nm） ○TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →ピーク発光波長(nm)： 890 →発光出力(mW)：5.5 →指向角(半値)：7 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○プレーナータイプのシリコン・フォトダイオードチップを 　メタルパッケージに組み込んだフォトダイオード ○高感度フォトダイオード（λp：900nm） ○TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →ピーク感度波長(nm)： 900 →短絡電流(mA)：1.5 →指向角(半値)：8 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：3 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：3 ○PD ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○プレーナータイプのNPN型シリコン・フォトトランジスタチップを 　メタルパッケージに組み込んだフォトトランジスタ ○高感度 NPN フォトトランジスタ（λp：900nm） ○TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →ピーク感度波長(nm)： 900 →短絡電流(mA)：4 →指向角(半値)：8 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：2 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：3 ○PTr ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○分離型フォトセンサ完全防塵タイプ ○発光側に赤外発行ダイオード ○受光側に高感度フォトトランジスタを採用 ○発光側、受光側単体としても使用可能 ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（1～100ｍｍ） ○防塵型で、レンズ内部への粉塵対策構造（樹脂封止タイプ） ○ローコストタイプ ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○分離型フォトセンサ完全防塵タイプ ○発光側に赤外発行ダイオード ○受光側に高感度フォトトランジスタ ○発光側、受光側単体としても使用可能 ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（1～100ｍｍ） ○防塵型で、レンズ内部への粉塵対策構造（樹脂封止タイプ） ○ローコストタイプ ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光、受光間ギャップを任意に設定可能（1 ～ 100mm） ○完全防塵型。レンズ内部への粉塵対策構造 ○ローコストタイプ 【仕様】 ○パッケージ：コネクタタイプ ○検出距離：100mm (max.) ○出力形式：Ptr ○光電流：0.5mA (min.)

【特徴】 ●スナップ構造で取付が容易 ●物体位置検出精度が高い ●反射率の低い紙幣、黒紙などの有無検出が可能 ●センサ・プリズム間ギャップを任意に設定可能 ●2連分離型センサとしても使用可能 ※詳しくはカタログをご覧ください。

【特長】 ○アクチュエータータイプ ○ハーネス付きの小型パッケージ ○スナップインタイプ ○その他、カスタムレバーも対応可能 ○KA3434 のみ抜け防止強ロック機構付きコネクタ採用 ●詳しくはカタログをご覧ください。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトIC出力を採用 ○アンプ内蔵型 ○検出溝幅　5mm、横スリット幅0.5mm ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：HIGH（KI3740）／LOW（KI3741） →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：0.1 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.04 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特長】 ○外側にケースカバー、内側に検出用スリットを持つ2重構造 ○2ビームフォトIC出力の小型透過型フォトセンサ ○防塵構造：粉塵の影響を受けにくい ○検出精度が高い：内蔵スリット幅 0.5mm ○可視光カットタイプ：外乱光の影響を受けにくい ○LED制限抵抗内蔵タイプ ○抜け防止強ロック機構付きコネクタ採用 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）：5 ○深さ（mm）：8.7 ○応答時間（μ sec）：上昇 (tr) 1.47／下降 (tf) 0.02 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○赤外発光ダイオードと受光素子にフォトIC（デジタル出力）を組合せ ○検出ギャップが13mm、深さ12.2mmで大きな物でも検出可能 ○アンプ内蔵型 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ ○スリット（mm）：2 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：LOW（KI1215）／HIGH（KI1216） →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：1.2 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.05 ○抵抗付 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発行側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用 ○検出溝の深さが12.2mmの深溝型 ○検出溝幅が13mmと広いので厚みのある物でも検出可能 ○可視光カットタイプ ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ ○スリット（mm）：2 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.3 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：15 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：17 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用 ○小型タイプ ○ローコスト ○検出溝の深さが6mmの深溝型 ○検出溝幅が4mmと広い ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○スリット（mm）：0.5 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.3 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：50 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：50 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用 ○検出溝の深さが12mmの深溝型 ○検出溝幅が10mmと広いので厚みのある物でも検出可能 ○可視光カットタイプ ○フォトICタイプ・RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○スリット（mm）：1 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.5 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：15 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：17 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用 ○検出溝の深さが12mmの深溝型 ○検出溝幅が15mmと広いので厚みのある物でも検出可能 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○スリット（mm）：2 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.5 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：15 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：17 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォト IC 出力を採用 ○アンプ内蔵、プルアップ抵抗内蔵タイプ ○検出溝の深さが12mmの深溝型 ○検出溝幅が10mmと広いので厚みのある物でも検出可能 ○フォトトランジスタ出力タイプ・RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○スリット（mm）：1 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：LOW（KI1230）／HIGH（KI1231） →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）： 1 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.05 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○外側にケースカバー、内側に検出用スリットをもつ２重構造の防塵タイプ ○小型透過型フォトセンサ ○防塵構造のため粉塵の影響を受けにくい ○検出精度が高い内蔵スリット幅0.5mm ○可視光カットタイプのため、外乱光の影響も受けにくい ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 5 ○深さ（mm）：7.5 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.3 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：50 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：50 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○外側にケースカバー、内側に検出用スリットをもつ２重構造の防塵型 ○フォト IC 出力の小型透過型フォトセンサ ○防塵構造のため粉塵の影響を受けにくい ○検出精度が高い内蔵スリット幅0.5mm ○可視光カットタイプのため、外乱光の影響も受けにくい ○LED 制限抵抗内蔵タイプ ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 5 ○深さ（mm）：7.5 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：KI1233・KI1235 HIGH / KI1234・KI1236 LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：1.47 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.02 ○オープンコレクタ（KI1233・KI1234） / 抵抗付（KI1235・KI1236） ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○外側にケースカバー、内側に検出用スリットをもつ２重構造の防塵型 ○フォト IC 出力の透過型フォトセンサ ○アンプ内蔵型 ○防塵構造のため粉塵の影響を受けにくい ○検出溝の深さが12.2mmの深溝型 ○検出溝幅が15mmと広いので厚みのある物でも検出可能 ○可視光カットタイプのため、外乱光の影響も受けにくい ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○スリット（mm）： 2 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：KI1249・KI1251 HIGH / KI1248・KI1250 LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：1.2 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.05 ○抵抗付（KI1248・KI1249） / オープンコレクタ（KI1250・KI1251） ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○外側にケースカバー、内側に検出用スリットをもつ２重構造の防塵型 ○フォト IC 出力の小型透過型フォトセンサ ○アンプ内蔵、オープンコレクタ出力タイプ ○防塵構造のため粉塵の影響を受けにくい ○検出精度が高い内蔵スリット幅0.5mm ○可視光カットタイプのため、外乱光の影響も受けにくい ○LED 制限抵抗内蔵タイプ ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）： 5 ○深さ（mm）：11.0 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：KI1285 HIGH / KI1286 LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：1.47 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.02 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォト IC 出力を採用 ○検出精度が高い内蔵スリット幅0.5mm ○可視光カットタイプのため、外乱光の影響を受けにくい ○LED 制限抵抗内蔵タイプ ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：ネジ止めコネクタタイプ ○ギャップ（mm）：8 ○深さ（mm）：10.5 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：KI1300・KI1302 HIGH / KI1301・KI1303 LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）： 1.47 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.02 ○抵抗付（KI1300・KI1301） / オープンコレクタ（KI1302・KI1303） ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォト IC （デジタル出力）を組合わせ ○アンプ内蔵、オープンコレクタ出力タイプ ○検出溝の深さが12.2mm ○検出溝幅が8mmと広い ○検出精度が高い内蔵スリット幅0.8mm ○LED 制限抵抗内蔵タイプ ○その他シリーズ：フォトトランジスタタイプ　KI1309 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：KI1305 HIGH / KI1306 LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）： 1.47 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.02 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用 ○検出溝の深さが12.2mmの深溝型 ○検出溝幅が8mmと広い ○その他シリーズ：フォト IC 出力タイプ　KI1305，1306 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ ○スリット（mm）：0.8 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.5 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：15 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：17 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォト IC 出力を採用 ○アンプ内蔵、プルアップ抵抗内蔵タイプ ○検出溝幅が8mmと広い ○その他シリーズ：フォトトランジスタタイプ　KI1314 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○深さ（mm）：7.5 ○スリット（mm）：0.8 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：KI1311 HIGH / KI1310 LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：0.1 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.04 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用 ○検出溝幅が8mmと広い ○その他シリーズ：フォト IC 出力タイプ　KI1310，1311 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○深さ（mm）：7.5 ○スリット（mm）：0.8 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →光電流 (mA）（min.）：0.5 →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：15 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：17 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

【特徴】 ○外側にケースカバー、内側に検出用スリットをもつ２重構造の防塵型 ○フォト IC 出力の透過型フォトセンサ ○アンプ内蔵、オープンコレクタ出力 ○防塵構造のため粉塵の影響を受けにくい ○検出精度が高い内蔵スリット幅0.5mm ○検出溝の深さが12mm ○その他シリーズ：フォトトランジスタタイプ　KI1319，1324 ○RoHS対応品をご用意 【主な仕様】 ○パッケージタイプ：PCB直付タイプ ○ギャップ（mm）： 5 ○電気的・光学的特性（Ta=25℃） →動作モード@入光時：LOW →応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：0.1 →応答条件 (μ sec）下降 (tf）：0.04 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。