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コンポーネントジェネラル社の同軸型BNC終端器をご紹介します。 米国Component General Inc.社では、高い周波数帯域での使用を目的としたハイパワー抵抗及びターミネータを製造しています。 材料に耐酸化高質材を使用。長期間での劣化がほとんどないため、抵抗変化が非常に少ないのが特徴です。 【仕様】 ○Connector: Brass, Nickel Plated. ○Insulator: PTFE, Virgin grade. ○Impedance: 50 Ω. 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
コンポーネントジェネラル社の同軸N型(オス)終端器をご紹介します。 米国Component General Inc.社では、高い周波数帯域での使用を目的としたハイパワー抵抗及びターミネータを製造しています。 材料に耐酸化高質材を使用。長期間での劣化がほとんどないため、抵抗変化が非常に少ないのが特徴です。 【仕様】 ○Connector: Brass, Nickel Plated. ○Insulator: PTFE, Virgin grade. ○Impedance: 50 Ω. 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「超小型 トリマコンデンサ」は、狭いスペースでの取り付けを可能にした低価格超小型可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社の非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRI、NMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance Range (pF) →From Below:0.45/0.5/0.6 →To Above:4/8/12 ○Q (Min) 100 MHz.:4000/3000/2000 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「高耐圧 トリマコンデンサ」は、PTFEの採用で高耐圧用途に対応した可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社の非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRI、NMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance Range (pF) →From Below:1~7 →To Above:2~100 ○Q (Min.) 25 MHz.:600~3500 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「極低温用 小型トリマコンデンサ」は、 極低温下での使用目的で開発された小型可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社の非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRI、NMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance (pF) →NMP3_K:0.6 to 2.5 →NMP5_K:0.6 to 4.5 →NMP8_K:0.8 to 8 →NMP12_K:1.0 to 12 ○Q at 250MHz at maximum rated C →NMP3_K:4000 →NMP5_K:3000 →NMP8_K:1500 →NMP12_K:1250 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「極低温用 高圧トリマコンデンサ」は、極低温下での使用目的で開発された高耐圧可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社製非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRIやNMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance →NMCB10-5CK:1.0 to 10pF →NMCB20-5CK:1.0 to 20pF ○Q at 25MHz at maximum rated C:2000 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「小型高圧 トリマコンデンサ」は、高耐圧ながら狭いスペースへの取付を可能にした小型可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社の非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRI、NMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance Range (pF) →From Below:0.5~1.5 →To Above:4~55 ○Q (Min) 100 MHz.:1500~3000 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「ガラス トリマコンデンサ」は、 ボルトロニクス社の原点、ガラスを使用した高性能可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社の非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRI、NMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance (pF) →From Below:0.8~3.0 →To Above:16~120 →100 MHz.:600~800 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「クオーツ・サファイア トリマコンデンサ」は、高いQを実現した超高周波用の可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社の非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRI、NMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance (pF) →From Below:0.5~7.5 →To Above:3.5~40 →100 MHz.:3000~9000 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
非磁性トリマコンデンサ「超小型サファイア トリマコンデンサ」は、サファイアを誘電体にしHiQ、超小型高周波用の可変コンデンサです。 ノンローテティング方式のVoltronics社の非磁性トリマコンデンサは高い信頼性が認められ、MRI、NMR用途として世界中のお客様に利用されております。 【仕様】 ○Capacitance Range (pF) →From Below:0.6~1.0 →To Above:2.5~12.0 ○Q (Min.) 250 MHz:1,000~4,000 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「チューニングバラクタ」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【特徴】 ○Storage Temperature:-65°C to +175°C ○Total capacitance is measured at 1 MHz and -4 volts on a Boonton capacitance meter. ○Standard tolerance ± 10%. 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「高周波チューニングバラクタ」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【ラインナップ】 ○HF Hyperabrupt Tuning Varactors ○VHF Hyperabrupt Tuning Varactors ○UHF Hyperabrupt Tuning Varactors ○Microwave Hyperabrupt Tuning Varactors 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「ステップリカバリダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【特徴】 ○High Efficiency ○High Output Power ○Low Order Multiplication (N≦4) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「ピンダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【仕様】 ○Storage Temperature: -65°C to +175°C ○Operation Temperature: -65°C to +150°C ○Power Dissipation: 250 mW ○Beam Terminal Strength: Planar- 4 grams minimum / Mesa- 6 grams minimum 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「ショットキーミキサ ダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【仕様】 ○Storage Temperature: -65°C to +175°C ○Operation Temperature: -65°C to +150°C ○Incident RF CW Power: 100 mW max 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
SRT Resistor Technology社 リード線型抵抗器のご紹介です。 ドイツSRT Resistor Technology社は様々な抵抗の製造販売を行っています。 世界的にも珍しい非磁性チップ抵抗をはじめ、厚膜抵抗だけでなく高い技術を必要とする薄膜抵抗等、高周波低電力抵抗器を幅広く製造しています。 非磁性や高抵抗(10Tオーム)、300度での使用可能といった特殊用途向タイプもございます。 また、パッケージタイプも多種用意しております。 【特徴】 ○High Value Resistors in thick film technology ○Variable lead spacing ○Resistance values up to 1 Tera-Ohm ○Excellent values of tolerance, TCR and VCR ○Untrimmed for higher working voltage 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
SRTレジスタテクノロジ社 温度センサのご紹介です。 ドイツSRT Resistor Technology Inc.社は、様々な抵抗の製造販売を行っています。 世界的にも珍しい非磁性チップ抵抗をはじめ、厚膜抵抗だけでなく高い技術を必要とする薄膜抵抗等、高周波低電力抵抗器を幅広く製造しています。 世界的にも珍しい非磁性や高抵抗(10Tオーム)、300度での使用可能といった特殊用途向タイプもございます。 また、パッケージタイプも多種用意しております。 【特徴】 ○PTC-Chip Resistors in Thinfilm ○Contact areas tinned – resistant to leaching ○Resistance element resin-passivated ○Tolerances down to 0.5 % – TC available from +3300 to +3850 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
大型金属造形や低コストな複合加工に。ロボットシステムの資料進呈
【イプロス初主催】AIを活用したリアル展示会!出展社募集中