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クロスライトソフトウェアインク日本支社

設立2001年9月1日
従業員数3名
住所千葉県千葉市中央区新田町33-1 ベルファースト4F
電話043-241-2381
  • 公式サイト
最終更新日:2025/07/08
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クロスライトのLEDシミュレーション研究(Crosslight LED Simulation Study)

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表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3D計算(InGaN/GaN MQW LED with textured surface)

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高輝度発光ダイオード(3D Modeling of Superluminescent Light-Emitting Diode)

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高応力GaNデバイスの研究(Study of Highly Stressed GaN Device on Silicon)

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LEDの多重量子障壁の有無比較(Comparison of LEDs with/without MQB)

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量子ドットデバイスの3Dシミュレーション(3D Simulation of Quantum Dot Devices)

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VCSELシミュレータ(Simulator of Vertical Cavity Surface Emitting Laser)

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高出力SCOWLレーザのシミュレーション(Simulation of high power SCOWL laser diode)

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量子カスケードレーザのシミュレーション(Simulating Quantum Cascade Lasers (QCL))

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半極性InGaN半導体レーザのシミュレーション(Simulation of Semipolar InGaN LD)

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フォトニック結晶レーザの3D計算(3D TCAD Simulation of Photonic Crystal Lasers)

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光、電気、熱の3D解析(3D Optical, Electrical and Thermal Simulation of LD)

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マッハツェンダー型光変調器(InP-based MQW Mach-Zehnder Modulators)

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CMOSイメージセンサーの3次元シミュレーション(3D Simulation of CMOS Image Sensor)

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タイプII型量子井戸受光素子(Simulation of Type-II Quantum Well Photodetector)

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量子井戸型赤外線センサー(A Self-consistent Model of QWIP)

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アバランシェフォトダイオード(Simulation of Avalanche Photodiodes Using APSYS)

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ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算 (NEGF Simulation of nanowire MOSFET)

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非平衡グリーン関数によるSOI FinFET計算(3D Simulation of SOI FinFET using NEGF)

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MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果(Simulation of 3D effects in MOSFET)

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MOSFETの基板電流シミュレーション(MOSFET Substrate Current Simulation)

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Siのひずみに対するQWモデル(Quantum Well Model for Strained Silicon MOSFETs)

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ナノサイズGaN HEMTのシミュレーション(NEGF Simulation of Nano-GaN HEMT)

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HEMTシミュレーションにおける課題(Advanced Issues in HEMT Simulation)

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高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング(Modeling of High Voltage AlGaN/GaN HEMT)

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SiC MESFETの3次元シミュレーション(3D Simulation of SiC MESFET)

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高耐圧MOSFETの2/3次元シミュレーション(2D/3D Simulation of High Voltage MOSFET)

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3次元TCADによるアプローチ(Practical New Approach to 3D TCAD Simulations)

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パワー半導体のシミュレーション(3D Simulation of Power Semiconductor Devices)

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パワー半導体デバイス(Power Semiconductor Devices Simulation with TCAD)

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ミックスモードシミュレーション(Mixed-mode device simulation (Numerical+SPICE))

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APSYSによるガン・ダイオードのモデリング(Gunn Diode Modeling in APSYS)

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薄膜トランジスタの3次元シミュレーション(3D Thin Film Transistor (TFT) Simulation)

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電界吸収変調器の解析(Analysis of Electro-Absorption Modulators)

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結晶方位の影響(Effects of Crystal Orientation on the Optical Property)

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量子ドリフトディフュージョン(Quantum Drift-Diffusion)

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バンド内遷移トンネル効果(Intraband Quantum Tunneling Through Heterojunction)

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多体エキシトン効果(Manybody, Exciton and Inhomogeneous Broadening Effect)

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感光デバイス計算(Simulation of photo-sensitive devices with FDTD method)

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クロスライトのFDTDの紹介(Introducing Crosslight FDTD)

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FDTD計算をGPUで加速(An Overview of GPU Accelerated Crosslight FDTD)

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低電界移動度モデル(Low Field Mobility Models)

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3次元シミュレーショングラフィカルインターフェイスマスクエディター(3D simulation GUI Maskeditor)

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シリコンICプロセスシミュレーター(Silicon IC Process Simulation with CSuprem)

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有機金属気相成長法による結晶成長シミュレーション(MOCVD Growth Simulation with PROCOM)

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