テイエスエスジャパンの製品ラインアップ

『MFA-R 0.2-6 磁界マイクロプローブ』は、動作するためにBT 706バイアス ティーを必要とするアクティブ近傍界マイクロプローブです。 コンポーネント上のICピン、細い導電パス、極小のSMDコンポーネント等の 磁場を検出。「MFA-R 0.2-75」と同じ基本構造ですが、周波数特性のみ 異なります。 プローブヘッドのコイル開口部には、横方向に黒い点がマークされて いますので向きを確認して測定してください。 【仕様】 ■タイプ：近傍界マイクロプローブ ■サイズ：マイクロチップ状 ■対応周波数帯：100MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：300μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『MFA 02 セット』には、例えば、信号導体(150μm)、SMDコンポーネント、 またはICピンにおける最大1GHzの低周波磁場を測定することができる2本の 高分解能近磁界マイクロ プローブ2本と、バイアスティー、専用ケーブル 1本が含まれています。 プリアンプ(9V,100mA)には、50Ωのインピーダンスを持つバイアスティー BT 706を介して電力が供給され、磁界マイクロプローブは、BT 706を介して スペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続されます。 【仕様】 ■タイプ：PCBエミッション 近傍界マイクロプローブ ■対応周波数帯：1MHz～1GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『MFA 01 セット』には、例えば、信号導体(150μm)、SMDコンポーネント、 またはICピンにおける最大6GHzまでの磁場を測定することができる高分解能 磁界マイクロプローブ3本と、バイアスティー、専用ケーブル1本が含まれてます。 各マイクロプローブにはプリアンプが内蔵されています。 プリアンプ(9V,100mA)には、50オームのインピーダンスを持つバイアスティー BT 706を介して電力が供給され、磁界マイクロプローブは、BT 706を介して スペクトラム アナライザまたはオシロスコープに接続されます。 【仕様】 ■タイプ：PCBエミッション 近傍界マイクロプローブ ■対応周波数帯：1MHz～6GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『LF-K 7 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、2つのコイル により半円形の磁力線を検出します。 プローブはカップリングクランプのように機能します。「LF-U 5」 プローブとは対照的に、横から入る磁力線を検出しません。 1つ目のコイルを通ってプローブヘッドの内部に入り、ヘッド内で円形に 曲がり、2つ目のコイルを通って出る不均一な磁場を検出します。 重なり合った均一磁場は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6×10mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『LF-U 2.5 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計されています。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップが あります。「LF-U 5」プローブと同様に機能します。 「LF-U 5」はケーブルやコネクタなどの大き目のコンポーネントに適して いますが、当製品は、SMDコンポーネントやピン向けに設計されています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『LF-R 50 磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径10mmのパッシブ近傍界 プローブで、最大3cm離れたアセンブリ、デバイス、またはケーブルを 測定する様に設計されています。 当製品は、その直径、感度、分解能において「LF-R 400」と 「LF-R 3」プローブの中間の性能です。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ10mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『LF-U 5 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、広範囲の 導電パス、ケーブル、コネクタ、電子部品等の磁場を検出できる様に 設計されています。 プローブはカップリングクランプのように機能します。 プローブの湾曲した下部をコンポーネントの表面に配置。 プローブに対し、真っ直ぐ、又は横から入る他のソースからの 磁力線も検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6×6mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『LF-B 3 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、内部コイルは シャフトに対して直角に配置され、測定対象のアセンブリまたはデバイスに 対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、正しく測定することができます。 当製品は、測定対象物から90°方向に放射される磁力線を検出し、 横から入る磁力線は検出しません。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『LF-R 3 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、ICピンや ICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出します。 「LF-R 50」及び「LF-R 400」プローブと同じ基本構造ですが、 当製品が最も高い分解能を持っています。 高い磁界強度にあるコンポーネントに近接して測定する事には 適していますが、離れた場所からの測定には向いていません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『LF-R 400 磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径25mmのパッシブ近傍界 プローブで、感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の 測定に適しています。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 「LFシリーズ」の磁界プローブには、50Ωの終端抵抗は内蔵されていません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ25mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-E 10』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極幅は約0.2mmで、幅0.1mmの導電パスや単一ICピン等の 最小電界源でも位置を特定することが可能。 電極面を電界強度が高い測定対象物上に直接配置する必要があるため、 広範囲の測定には適していません。広範囲を測定する場合には、「RF-E 02」や 「RF-E 05」を使用してください。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：0.5x2mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-E 09』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面を回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-E 05』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極幅は約0.5mmで、クロックされたラインやICピン、及び 小型コンポーネントの電界を正確に特定。 回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、保持する事により、 RF電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：1x8mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：0.6mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-E 04』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 「RF-E 03」及び「RF-E 09」プローブと同じ基本構造。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面をコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：5x5mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-E 03』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計されている製品です。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-E 02』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 バス構造、大型コンポーネント、または電源の表面上で分離された 電界発生源を検出。 プローブヘッドの下部電極面は約2x5cmで、コンポーネントから1～2cmの 距離内でよく機能します。「RF-E 05」及び「RF-E 10」プローブと 同じ基本構造です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：23x53mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～1.5GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-K 7-4』磁界プローブは、パッシブ近傍界プローブで、プローブヘッドに 逆方向に入る半円形の磁力線を検出する製品です。 半円形の磁力線は、線状、棒状構造の部品、ケーブルコネクタ、そして 平面構造部品の端に沿って発生。 プローブはカップリングクランプのように機能します。重なり合った 均一磁場は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～1GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-U 2.5-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定対象物上に直接配置して測定。 「RF-U 5-2」と同じ基本構造ですが、より小さいエリアの検出に適しています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMBmale,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-U 5-2 』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、広範囲の導電パス、 ケーブル、コネクタ、電子部品等の磁場を検出できる様に設計された製品です。 プローブはカップリングクランプのように機能。プローブヘッドを コンポーネント上に直接配置すると、プローブに対し、真っ直ぐ、 又は横から入る他のソースからの磁力線も検出。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-R 0.3-3』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 小型のプローブヘッドを備えているので、非常に高い分解能で磁場を 測定する事ができ、小さいコンポーネントでも干渉源として検出。 また、狭い場所へのアプローチも可能にします。ICピンやICケース、導電パス、 デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント周囲の領域など、 アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ2.0mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-R 3-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「RF-R 50-1」及び「RF-R 500-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品の 分解能ははるかに高くなります。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『RF-R 50-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリ、デバイス、またはケーブルを測定する様に設計されている 製品です。 当製品のプローブヘッドは、直径10mmのため、直径25mmの 「RF-R 400-1」と比較して感度は低くなりますが、高分解能です。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 RFシリーズの磁界プローブには50Ωの終端抵抗は内蔵されていません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『RF-R 400-1』磁界プローブは、ヘッドサイズが直径25mmのパッシブ 近傍界プローブです。 感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の測定に好適。 先端直径が大きい程、感度が高く、より広い領域の磁場を検出することが できます。「RF-R 50-1」および「RF-R 3-2」と同じ基本構造です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ25mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-E 10』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極幅は約0.2mmで、幅0.1mmの導電パスや単一ICピン等の 最小電界源でも位置を特定することが可能。 「XF-E 04s」及び「XF-E 09s」プローブと同じ基本構造ですが、高い分解能を 持っています。電極面を電界強度が高い測定対象物上に直接配置する 必要があるため、広範囲の測定には適していません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：0.5x2mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-E 09s』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 「XF-E 04s」プローブと同じ基本構造ですが、小さな正方形の電極面を 回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、保持する事により、 電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-E 04s』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの下部電極面は約5x5mmで、ICの表面上で分離された 電界を検出。 小さな正方形の電極面をコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：5x5mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-U 2.5-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定時には、プローブヘッドのギャップを測定対象物上に配置。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-B 3-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 内部コイルはシャフトに対して直角に配置されているので、測定対象の アセンブリまたはデバイスに対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、 正しく測定することが可能。 例えば、コンポーネントに挟まれたアクセスが困難なプリント基板等へ 上からアプローチする事ができます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-R 3-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「XF-R 100-1」及び「XF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品は はるかに高い分解能を持っています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-R 100-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリやデバイス、ケーブルを測定する様に設計された製品です。 広帯域でなおかつ高い直線性により、干渉源となる大きなコンポーネントの 特定が可能。 そのヘッドサイズ、感度、分解能において、「XF-R 400-1」と「XF-R 3-1」 プローブの中間の性能です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：Φ10mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC・静電気測定器

『XF-R 400-1磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径25mmの パッシブ近傍界プローブです。 感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の測定に好適。 先端直径が大きい程、感度が高く、より広い領域の磁場を 検出することができます。また、XFシリーズの磁界プローブには 50Ωの終端抵抗が内蔵されています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ25mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『SX-E 03電界プローブ』はパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～10GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

当社で取り扱う『SX-B 3-1(H field磁界プローブ)』について、ご紹介いたします。 内部コイルはシャフトに対して直角に配置されているので、測定対象の アセンブリまたはデバイスに対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、 正しく測定可能。 プローブヘッドが非常に小さいので、コンポーネントに挟まれたアクセスが 困難なプリント基板等へ上からアプローチする事ができます。 測定対象物から90°方向に放射される磁力線を検出し、横から入る 磁力線は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～10GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ■分解能：2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『SX-R 20-1磁界プローブ』は最大20GHzの周波数範囲をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 非常にコンパクトなプローブヘッドを備えているので、トレース、 コンポーネント、IC上の非常に小さいRF磁界の発生源を特定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また 電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～20GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『SX-R 3-1磁界プローブ』は、小型のプローブヘッドを備えている パッシブ近傍界プローブです。 非常に高い分解能でRF磁界を測定する事ができ、小さいコンポーネントでも 干渉源として検出。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～10GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『HR-E 40-1電界プローブ』は、最大40GHzの周波数帯をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドは特殊な減衰システムによってケーブルシールドから 切り離されています。 さらに、プローブには電流減衰器が含まれ、50Ωインピーダンス整合 ネットワークが内蔵されています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：チップ状(内部電極までの距離0.5mm) ■対応周波数帯：～40GHz ■コネクタ：2.92mm female, Jack ■分解能：0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『HR-R 8-1磁場プローブ』は、最大40GHzの周波数帯をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドは特殊な減衰システムによってケーブルシールドから 切り離されています。 当製品は、ICピンや導体トラック上で磁場測定を直接行うことができ、 磁場発生源を特定できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：9x9mmプローブヘッド ■対応周波数帯：～40GHz ■コネクタ：2.92mm female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『LF1近傍界プローブセット』は、4本の磁界プローブと専用ケーブルが 含まれており、開発プロセス中の電子デバイスから放射される長波、中波、及び 短波周波数を測定することができるセットです。 当セットのプローブヘッドは、ICピンから大型コンポーネント、アセンブリ上の 電磁干渉源を段階的に検出できる様に設計。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 【セット内容】 ■LF-R 400：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■LF-B 3：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■LF-U 2.5：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■LF-U 5：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■SMB-BNC：ケーブル1m ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『RF4-Eプローブセット』は、比較目的で30MHz～3GHz(1.5GHz)の 周波数範囲で電界を測定するパッシブ電界プローブが2本含まれている セットです。 このプローブは、電界分布の分析、モジュール上の結合メカニズムの検出、 信号リードのスイッチングエッジと電源システムのRF電圧の評価を 目的として設計。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【セット内容】 ■RF-E 02：E-Field Probe 30MHz～1.5GHz ■RF-E 05：E-Field Probe 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『RF3ミニセット』は、分解能1mm未満の2本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～3GHzの電界と磁界を 測定することが可能。 レイアウトおよびコンポーネント範囲における磁場及び妨害電流を詳細に 測定できる様に設計された特別な小型ヘッドが付いています。 【セット内容】 ■RF-B 0.3-3：H-Field Probe mini 30MHz～3GHz ■RF-R 0.3-3：H-Field Probe mini 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『RF2近傍界プローブセット』は、4本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～3GHzの電界と磁界を 測定可能。 当セットのプローブヘッドは、電子アセンブリ上のRF磁界干渉源の 位置を段階的に特定することができます。 【セット内容】 ■RF-R 400-1：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-R 50-1：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-U 5-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-B 3-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『RF1近傍界プローブセット』は、4本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 当セットのプローブヘッドは、電子アセンブリに非常に近づけた位置での 測定が可能。 ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、 干渉源を特定することができます。 【セット内容】 ■RF-K 7-4：H-Field Probe 30MHz～1GHz ■RF-U 2.5-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-R 3-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-E 10：E-Field Probe 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『XF1近傍界プローブセット』は、4本の磁界プローブと、1本の電界プローブ、 そして専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～6GHzの電界と磁界を 測定することが可能。 またそのインピーダンスマッチングにより、RFタイプのプローブよりも低い 周波数帯における感度は低いです。 【セット内容(一部)】 ■XF-R 400-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-R 3-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-B 3-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-E 10：E-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-U 2.5-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■SMA-SMA：1mケーブル ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• EMC対策製品

『SX-R 20-1セット(磁界プローブ)』は、開発プロセス中の最大20GHzの 高周波磁場を測定するためのパッシブ磁界プローブと、専用ケーブル1本が 含まれているセットです。 SX-R 20-1のプローブヘッドは、電子アセンブリに近づけた位置での測定が可能。 ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、 干渉源を特定することができます。 【セット内容】 ■SX-R 20-1：H-Field Probe 1GHz～20GHz ■SMA-SMA：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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『SX1セット(磁界・電界プローブ)』は、3本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ及びIC上の1GHz～10GHzの高クロック 周波数帯の電界及び磁界を測定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【セット内容】 ■SX-E 03：E-Field Probe 1GHz～10GHz ■SX-B 3-1：H-Field Probe 1GHz～10GHz ■SX-R 3-1：H-Field Probe 1GHz～10GHz ■SMA-SMA：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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