試験・分析・測定

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

設立昭和５９年８月１日（１９８４年）
住所東京都世田谷区喜多見1-18-6
電話03-3749-2525
最終更新日：
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MSTが出展した展示会の資料 MSTが出展した展示会の資料
【分析事例】パワーデバイス

【分析事例】パワーデバイス

パワーデバイスの分析事例をご紹介します

【分析事例】窒化ガリウムにおける欠陥準位の解析

点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など！様々な物性情報が得られます

弊団では、第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) における欠陥準位の解析を行っております。 ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの 分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が 高まっています。 ここでは第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する 欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。 【測定法・加工法】 ■[PL]フォトルミネッセンス法 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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