【分析事例】パワーデバイスの製品一覧｜一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】窒化ガリウムにおける欠陥準位の解析

弊団では、第一原理計算によるワイドギャップ半導体窒化ガリウム(GaN) における欠陥準位の解析を行っております。ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。ここでは第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。【測定法・加工法】 ■[PL]フォトルミネッセンス法 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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半導体から皮膚・毛髪まで！多様な分野で活用可能“表面分析”事例集

研究開発・品質管理に使える高感度な成分分析

TOF-SIMS分析（飛行時間型二次イオン質量分析法）は、試料表面の成分分析を行う手法です。最表面に存在する有機物・無機物の同定に適しており、イメージング測定によって成分の面内分布を視覚的に把握することができます。特に異物や変色・洗浄残渣など不良原因の特定に有効です。さらに、掘りながら測定することで、深さ方向の分布も確認可能です。

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【分析事例】分子動力学計算によるGa含有プリカーサーの蒸気圧計算

ALD、CVDのプリカーサーに用いられる金属錯体の蒸気圧予測に有効！

ALD（原子層堆積法）は高アスペクト比の構造に対しても原子層レベルで均一な成膜が可能なため、半導体の微細化・複合化・細線化に有用な方法として着目されています。成長表面における「原料（プリカーサー）の吸着飽和を利用した気相プロセスによる成膜方法であるため、基板へのプリカーサーの被覆率、成膜レートを向上させるためには、高い蒸気圧を持ったプリカーサーが求められています。本資料では分子動力学計算により種々のGa含有プリカーサーの蒸気圧を予測し、実験値と比較しました。

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【分析事例】窒化ガリウムにおける欠陥準位の解析

半導体から皮膚・毛髪まで！多様な分野で活用可能“表面分析”事例集

【分析事例】分子動力学計算によるGa含有プリカーサーの蒸気圧計算

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