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MOSFET(チャネル) - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり

更新日: 集計期間:May 27, 2026~Jun 23, 2026
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MOSFETの製品一覧

1~12 件を表示 / 全 12 件

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『CSD18541F5』

60-V N Channel FemtoFET MOSFET 'CSD18541F5'

The 54mΩ, 60V N-channel FemtoFET MOSFET technology 'CSD18541F5' is designed and optimized for many industrial load switch applications with space constraints, minimizing the footprint. By replacing standard small signal MOSFETs with this technology, the footprint size can be significantly reduced. 【Features】 ■ Low on-resistance ■ Extremely low Qg and Qgd ■ Ultra-small footprint: 1.53mm × 0.77mm ■ Low profile: height 0.35mm ■ RoHS compliant *For more details, please contact us.

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『CSD15380F3』

20V N-channel FemtoFET MOSFET 'CSD15380F3'

The CSD15380F3 is a 20V, 990mΩ, N-channel FemtoFET MOSFET designed and optimized to minimize footprint for many handheld and mobile applications. Due to its very small capacitance, it can perform switching at high speeds. When used in data line applications, its low capacitance helps minimize noise coupling. Replacing standard small signal MOSFETs with this technology can significantly reduce the footprint. 【Features】 ■ Very low CiSS and COSS ■ Very low Qg and Qgd ■ Ultra-small footprint: 0.73mm x 0.64mm ■ Ultra-thin profile: maximum height 0.35mm ■ Lead and halogen-free ■ RoHS compliant *For more details, please contact us.

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General-purpose N-channel MOSFET "XP23/XP26 Series"

Built-in gate protection diode for electrostatic discharge protection! MOSFET compliant with EU RoHS directive.

The "XP23/XP26 Series" is a general-purpose N-channel MOSFET that achieves low on-resistance and high-speed switching characteristics. It can be used in various applications such as relay circuits and switching circuits. As an electrostatic countermeasure, it has a built-in gate protection diode. The package adopts a compact SOT-23 (TO-236) (2.9 X 2.4 X h1.15mm), contributing to the miniaturization of equipment. 【Features】 ■ Built-in gate protection diode ■ Low on-resistance ■ High-speed switching *For more details, please refer to the PDF document or feel free to contact us.

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Power Semiconductor 2000V N-Channel Power MOSFET

High voltage power conversion system! Suitable for various power exchange systems.

The 2000V N-channel power MOSFET is a high-voltage power MOSFET for high-voltage power conversion systems. It eliminates the need for series connections of low-voltage devices, allowing for parallel operation due to its positive temperature coefficient of on-resistance, enabling the construction of cost-effective power systems. Other advantages include a reduction in the number of components that make up the gate drive circuit due to fewer devices used, leading to cost reduction, improved reliability through simpler designs, and saving PCB space, contributing to miniaturization. 【Features】 ○ High blocking voltage ○ Unique high-voltage package ○ Increased creepage distance between terminals ○ Positive temperature coefficient of on-resistance ○ Space-saving (reducing multiple series connections of devices) For more details, please contact us or download the catalog.

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『CSD22206W』

8V, 4.7mΩ, P-channel NexFET power MOSFET 'CSD22206W'

This -8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm device is designed to achieve the lowest possible on-resistance and gate charge in the smallest possible footprint, while also providing excellent thermal characteristics in a very low profile. With its low on-resistance, small footprint, and low profile, this device is ideal for battery-powered applications with volume constraints. 【Features】 ■ Extremely low resistance ■ Small footprint of 1.5mm×1.5mm ■ Lead-free ■ Gate ESD protection ■ RoHS compliant *For more details, please contact us.

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High Voltage N-Channel MOSFET 'INK013EAP1'

Optimal for switching power supply circuit!

INK013EAP1 is an N-channel MOSFET in a SOT-89 package with a maximum rating of VDSS=500V and ID=0.5A. This maximum rating of VDSS is top-class in our company, making it an ideal component for the startup circuit that supplies driving power to control ICs in switching power supplies.

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