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【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCNTの結晶構造解析 ３．SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ
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基本情報
技術情報誌The TRC News「ナノメートルスケールの局所構造解析を実現する最先端分光手法の開発」 【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCNTの結晶構造解析 ３．SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ 【図表】 図１ 近接場光を利用したラマン分光法 図２ AFM(Atomic Force Microscope)位相像、チューブの存在状態(S:半導体型、M:金属型）、各チューブのRBMスペクトル 図３ AFM-Ramanスペクトル、D/G比分布 図４ 交点のAFM-Ramanスペクトル 図５ 近接場ラマンの光学系 図６ SiO2/SiC積層膜 図７ SiO2/SiC界面近傍の応力解析
価格情報
2,200円（税込）
価格帯
~ 1万円
納期
即日
※web申し込み、Paypal決済
用途／実績例
https://www.toray-research.co.jp/service/trcnews/をご覧下さい
企業情報
株式会社東レリサーチセンターでは、受託分析を通じて、研究開発や生産分野における様々な課題に対して、分析技術や物性解析による技術支援を行っております。分析・物性評価の長年の実績と豊富な経験に基づき、高度で広範囲にわたるお客様のご要望にお応えできるよう努力を続けております。