ナノ～オングストローム分解能！原子レベルで微細形態観察・組成分析
TEM/STEMは電子ビームを使用してサンプルを画像化する分析手法です。 TEM/STEMの空間分解能は約1〜2Åです。 高エネルギー電子（80〜200 keV）は、電子透過性サンプル（〜100 nmの厚さ）を透過します。TEM/STEMの空間分解能はSEMより優れていますが、多くの場合複雑なサンプル調製が必要です。また、近年ではSTEMに球面収差補正レンズを搭載したAC-STEM（CS補正機能付きSTEM）により従来のSTEMよりも高分解能での分析が可能になりました。 EAG LaboratoriesではTEM/STEMを20台以上所有し、試料作製用のFIB-SEMを30台以上所有しています。また、元素分析を行うEDS/EELSも複数台所有しています。分析に充分な設備数を所有しているため、TEM/STEM分析は常に短納期でご対応することが可能になっています（標準納期：6～8営業日/特急納期：お問合せ）。
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基本情報
試料をFIB-SEMなどで薄片化し、薄片試料に電子線を照射します。試料から透過した電子線の透過分布から高分解能像を得たり、結晶情報、組成情報、電子線回折により試料の構造情報を得ることが可能 ・ナノスケールレベルの分解能で構造・形態観察 ・元素像の高分解能マッピング ・格子像観察 ・Ｚコントラスト像観像 ・原子スケールの観察像（AC-STEM）
価格帯
納期
用途／実績例
・III-V半導体・GaN系薄膜・ デバイスの断面構造観察及び元素分析 ・Si系薄膜・ デバイスの断面構造観察及び元素分析 ・各種固体材料の形態・構造観察 ・燃料電池触媒の観察 ・有機EL素子等、有機デバイスの構造評価
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企業情報
材料分析でお困りの方、お気軽にEAGまでご相談ください！ ●高品質分析 ●短納期 ●迅速対応 ユーロフィンEAG（略称：EAG）は、40年以上にわたり半導体産業、高純度金属、先端・ナノ材料分野で材料分析サービスを提供してまいりました。半導体デバイス・製造装置のプロセス開発、研究開発、品質保証に不可欠なSIMS分析（二次イオン質量分析法）やTEM/STEM分析（透過型電子顕微鏡分析）、そして高純度材料の不純物分析に用いるGDMS分析（グロー放電質量分析法）においては、長年の技術蓄積と迅速な納期対応でお客様のニーズにお応えします。