エッチング装置 - 企業ランキング(全29社)
更新日： 集計期間:2025年07月02日〜2025年07月29日
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企業情報を表示
| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| RIE-10NRは、Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたリアクティブイオンエッチング装置です。本装置は、価格が低廉でありながら搭載されたPLCにより各種エッチング条件の管理を行うことができるコストパフォーマンスに優れた装置です。 | ・Si、Poly-Si、SiO₂、SiNなどの各種シリコン薄膜の高精度エッチング ・半導体レーザの作製 ・欠陥解析 | ||
| 【特長】 <RIE-400iPC> ■最大Φ4”ウエハ対応 ■高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現 ■反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現 ■干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能 | |||
| VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティクション（張り付き）の発生を抑制することが可能です。また、研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計になっています。 | ●MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチング | ||
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サムコ株式会社
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- 代表製品
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ドライエッチング装置 RIE-10NR（平行平板型RIE装置）
- 概要
- RIE-10NRは、Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたリアクティブイオンエッチング装置です。本装置は、価格が低廉でありながら搭載されたPLCにより各種エッチング条件の管理を行うことができるコストパフォーマンスに優れた装置です。
- 用途/実績例
- ・Si、Poly-Si、SiO₂、SiNなどの各種シリコン薄膜の高精度エッチング ・半導体レーザの作製 ・欠陥解析
ICPエッチング装置 RIE-800iPC/RIE-400iPC
- 概要
- 【特長】 <RIE-400iPC> ■最大Φ4”ウエハ対応 ■高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現 ■反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現 ■干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能
- 用途/実績例
ドライエッチング装置・XeF2エッチング装置
- 概要
- VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティクション（張り付き）の発生を抑制することが可能です。また、研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計になっています。
- 用途/実績例
- ●MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチング
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サムコ株式会社
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