XeF2エッチング装置
●完全ドライプロセスであるため、スティクションによる自立デバイスの破壊を抑制することが可能。 ●ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要。 ●ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピードおよびガスの使用量の制御が容易。 ●プラズマを使用しないため、電界による素子へのダメージ（電子またはイオン衝撃）がない。 ●研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計。 ●専用機であるため低価格。
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基本情報
VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティクション（張り付き）の発生を抑制することが可能です。また、研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計になっています。
価格情報
-
納期
~ 1ヶ月
用途／実績例
●MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチング
企業情報
ナノレベル~マイクロレベルの薄膜形成および加工の技術に優れ、研究開発用途から生産用途までの装置・技術提供に定評があります。加えまして、今後の市場拡大が見込まれております光源(LED・半導体レーザ)などのオプトエレクトロニクス分野に特化しております。
