これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します
当社は半導体製造装置メーカーとして、GaN系発光デバイス製造における ICPエッチング装置、CVD装置及びプロセス技術を提供してきた実績があります。 また、4H-SiCパワーデバイスに対してもトレンチ加工、メサ加工等に対応で きる装置を提供。 当資料では、これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工を ご紹介しています。 【掲載内容】 ■はじめに ■トレンチMOSFETの模式図 ■GaNのトレンチ加工 ■エッチング結果 ■最後に ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
ナノレベル~マイクロレベルの薄膜形成および加工の技術に優れ、研究開発用途から生産用途までの装置・技術提供に定評があります。加えまして、今後の市場拡大が見込まれております光源(LED・半導体レーザ)などのオプトエレクトロニクス分野に特化しております。
