化合物半導体プロセス用 ICPエッチング装置
RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供
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基本情報
RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供
価格情報
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納期
用途／実績例
【応用例】 GaN系電子デバイス、発光デバイスの製作 詳細は、資料請求もしくはカタログダウンロード下さい
企業情報
ナノレベル~マイクロレベルの薄膜形成および加工の技術に優れ、研究開発用途から生産用途までの装置・技術提供に定評があります。加えまして、今後の市場拡大が見込まれております光源(LED・半導体レーザ)などのオプトエレクトロニクス分野に特化しております。
