エッチング装置の製品一覧
- 分類：エッチング装置
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１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
直径３０ｍｍ程度から8インチ、高ライフタイム、１万オームを超えるような高抵抗も対応可能！薄化、チップ加工もアレンジいたします！
- その他半導体
- 加工受託
- ウエハー
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃__超高温ウエハーアニール専用（6inch〜8inch）真空・大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）
◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換アニール（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ、4元マルチスパッタ（Φ2〜4inchカソード）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃ 真空・大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
高耐久PTFEホースは、細波状PTFE構造により高い柔軟性と耐久性を両立。半導体製造装置の薬液供給ラインや可動配管部に対応します
- ホース
- その他半導体製造装置
- エッチング装置
ソニア社製超音波スプレーノズルの3DCADデータの配布開始
ソニア社製超音波スプレーノズルの3D CADデータ配布を開始しました。 設計者や装置メーカーの皆様は、製品形状や取付寸法を事前に確認できるため、装置設計やレイアウト検討を効率的に進めることができます。 今回、超音波スプレーノズル「WS40K」と「WS130K」の3D CADデータも公開し、導入前の干渉確認や設計シミュレーションに活用いただけます。 ソニアの超音波スプレーノズルは、精密コーティング、表面処理、加湿、洗浄など幅広い用途に対応。 3D CADデータの提供により、設計工数の削減と開発期間の短縮を支援し、製品選定から装置開発までをスムーズにサポートします。
蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】自動連続多層膜・同時成膜 RF/DC/PulseDC
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃ 真空・大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】自動連続多層膜・同時成膜 RF/DC/PulseDC
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】総合カタログ
この度、MiniLabシリーズ薄膜実験装置のカタログを一新しました。 【MiniLabシリーズの特徴】 ◉スパッタ、蒸着（抵抗加熱・有機・EB）、アニール、プラズマエッチング等に対応 ◉モジュラー式 フレキシブルにコンポーネントの組合せを構成（ソース複合型、マルチチャンバーも可能） ◉コンパクト、省スペース設計（幅1,200 x 奥行560mm） ◉優れた操作性：直感的インターフェイス、操作が分散せず全てをタッチパネルで一元管理できます。 研究開発の現場で、必ずやお役に立てるものと確信しております。 ぜひご検討ください。
ISO17463に基づく電気化学測定装置を用いた金属上の有機被膜の評価 - 塗料およびワニス
- エッチング装置
- ウエハー
- その他表面処理装置
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃ 真空・大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃ 真空・大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃__超高温ウエハーアニール専用（6inch〜8inch）真空・大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）
◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換アニール（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】総合カタログ
この度、MiniLabシリーズ薄膜実験装置のカタログを一新しました。 【MiniLabシリーズの特徴】 ◉スパッタ、蒸着（抵抗加熱・有機・EB）、アニール、プラズマエッチング等に対応 ◉モジュラー式 フレキシブルにコンポーネントの組合せを構成（ソース複合型、マルチチャンバーも可能） ◉コンパクト、省スペース設計（幅1,200 x 奥行560mm） ◉優れた操作性：直感的インターフェイス、操作が分散せず全てをタッチパネルで一元管理できます。 研究開発の現場で、必ずやお役に立てるものと確信しております。 ぜひご検討ください。
「厚銅の精密加工と『廃液削減』を両立。ドイツの知性が生んだ資源循環型プロセス。SiC/GaN向け放熱基板の微細加工に最適。
- エッチング装置
Ti-6Al-4Vも対応。フッ酸精密制御で酸化膜除去・表面粗化・コーティング前処理を安全に実現。TÜV SÜD認証取得済み。
- その他加工機械
- エッチング装置
JACLaS EXPO 2026 出展
◆◇◆診断機器／医療機器の開発・製造受託サービス、OEM用の精密ポンプやロボットアームを紹介いたします◆◇◆ カンは信頼性の高い液体ハンドリングとロボット技術を駆使し、臨床検査やライフサイエンス分野で多様なOEM機器およびコンポーネントを提供しています。 グローバル市場向けの最適な機器コンセプト開発や各国の規制対応、現地でのサービスに至るまで、テカンは豊富なリソースを活用してサポートいたします。 以下のような課題や目標をお持ちの方は、ぜひテカンブースにお立ち寄りください。 ・使用中のシステムの前処理装置や次世代装置の開発製造やその改善をしたい ・高品質な自社発の前処理、自動分析装置を新たに上市したい ・戦略的なインダストリアル＆UI/UXデザインで市場の期待を超える開発を実現したい
屋外や油まみれの過酷な現場で、銘板の文字消えや剥がれに悩んでいませんか？図面１枚から高耐久な銘板をオーダーメイド一貫生産します。
- エッチング装置
- 銘板
先端パッケージへの展開 300×300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案いたします
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- アニール炉
JACLaS EXPO 2026 出展
◆◇◆診断機器／医療機器の開発・製造受託サービス、OEM用の精密ポンプやロボットアームを紹介いたします◆◇◆ カンは信頼性の高い液体ハンドリングとロボット技術を駆使し、臨床検査やライフサイエンス分野で多様なOEM機器およびコンポーネントを提供しています。 グローバル市場向けの最適な機器コンセプト開発や各国の規制対応、現地でのサービスに至るまで、テカンは豊富なリソースを活用してサポートいたします。 以下のような課題や目標をお持ちの方は、ぜひテカンブースにお立ち寄りください。 ・使用中のシステムの前処理装置や次世代装置の開発製造やその改善をしたい ・高品質な自社発の前処理、自動分析装置を新たに上市したい ・戦略的なインダストリアル＆UI/UXデザインで市場の期待を超える開発を実現したい
高耐圧PTFEホースは、細波状PTFEコルゲーション構造を採用。高耐圧と低反力を両立し、高純度薬液ラインや可動配管部に対応します
- ホース
- その他半導体製造装置
- エッチング装置
UHP/UHV、超高純度、超高真空、極低温向け高度メタルシーリングソリューション
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
PVD/CVD/エッチング装置等で、ゴムOリングからメタルへ置換え、超高真空・極高真空を実現します！JIS V溝フランジ用標準化
- シール・密封
- CVD装置
- エッチング装置
【JIS V溝フランジ用標準化済み】半導体分野向け低設計締付力Y『超高真空用デルタシール』
デルタシール(HNV HELICOFLEX(R)DELTA) には、断面の接触側に2つのデルタ形突起があります。 デルタ形突起は、フランジ溝組込時に外被の圧縮時につぶれて消えるように設計されており、 デルタシールの設計締付力は、ヘリコフレックスシールに比べて低い為、エラストマー製Oリングとの交換が可能になります。 漏れ量：*円形の場合10⁻¹²Pa・m³/sec.(10⁻¹¹atm.cm³/sec.) *取付側の品質に依存します。 【特長】 ■断面の接触側に2つのデルタ形突起がある ■超高真空が実現する ■優れた弾性を有し、高温で使用可能 ■エラストマー製Oリングとの交換が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Particle-PLUS解析事例紹介「2周波CCPのプラズマ解析」シミュレーション事例
- エッチング装置
- ウエハー
- アッシング装置
クリーンルーム対応の精密機器据付から保守まで、半導体製造装置の導入をトータルサポート！ 補足情報
- CVD装置
- エッチング装置
- レジスト装置
中赤外波長可変レーザーOPPO MIRは 2.8～4.2umの波長範囲で調整が可能なピコ秒パルスレーザーです。最大出力1W以上。
- エッチング装置
液晶ガラス基板の薄肉加工ケミカル研磨の自動装置として、G6世代までの薄肉化処理に適しています。
- その他加工機械
- エッチング装置
- その他表面処理装置
各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- CVD装置
薬品での表面腐食による、金属組織検査用の前処理を行います。
- その他の各種サービス
- 加工受託
- エッチング装置