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最終更新日:2024年10月12日

テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
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高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6, 8inch用)

連続多層膜、同時成膜(2〜6元同時成膜:RF, DCをHMIより自在に配置切替) 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ(二重ジャケット水冷式)オプション -1) Max600℃(ランプ加熱) -2) Max1000℃(C/Cコンポジット) -3) Max1000℃(SICコーティング) ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(<30W) システム主制御:'IntelliDep'制御システム Windows PC(又はTP HMI)インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理

    スパッタリング装置エッチング装置蒸着装置
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多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

ML-S125-iPROS_550-1.jpg
ML-S125-iPROS_550-1.jpg ML-S125-iPROS_550-2.jpg ML-S125-iPROS_550-3.jpg ML-S125-iPROS_550-4.jpg ML-S125-iPROS_550-5.jpg
  • テルモセラ・ジャパン MiniLabシリーズフレキシブル薄膜実験装置
  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/thermocera/product/

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基本情報

【主仕様】 ・基板サイズ:Max12inch対応 ・チャンバー:SUS304 UHV対応、500 x 500 x500mm ・到達真空度:5 x 10-5pascal ・スパッタカソード:Φ2"(最大6)、Φ3"(最大4) ・プラズマ電源:RF150W, 300W, DC850W, HiPIMS 5KW ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・ターボ分子ポンプ + ドライスクロールポンプ ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御*ソフトエッチング *独自の"Soft-Etching"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC制御:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,767(W) x 754(D) x 1,645(H)mm ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。 ●マルチチャンバー式も製作可能です。

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用途/実績例

電子デバイス・燃料電池・ディスプレイ等の製造工場、大学・研究機関、薬品・化学工場、食品工場、他多数

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-S125A】Φ8"対応

多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-S125A】Φ8"対応

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多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S060】

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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム

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グローブボックス薄膜実験装置【MiniLab-026/090-GB】

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【MiniLab(ミニラボ)】シリーズフレキシブル薄膜実験装置

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【MiniLab-026】フレキシブル薄膜実験装置

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★【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置★

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【MiniLab-026/090】グローブボックス薄膜実験装置

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◆HTEヒーター/OLED有機蒸着・高温金属蒸着セル◆ Max1500℃

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【マグネトロンスパッタリングカソード】

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【nanoPVD-S10A】RF/DCマグネトロンスパッタリング装置

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◆nanoPVD-T15A◆ 高性能 有機膜・金属膜蒸着装置

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薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2024」

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◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

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【nanoCVD-8G/8N】グラフェン/CNT合成装置

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【Nanofurnace】Model. BWS-NANO 熱CVD装置

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【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃

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Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃

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【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max2000℃

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【TCF-C500】超高温小型実験炉 Max2900℃

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BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

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【SH 高温 基板加熱ヒーター】(Inc/BNプレート Max1100℃)PVD CVD 真空薄膜用 高温 プレートヒーター

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ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ヒーター

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ウエハースケール グラフェン合成装置【nanoCVD-WGP】

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ソフトエッチング装置【nanoETCH】<30W低出力制御によるダメージレスエッチング

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スパッタ・蒸着ソース混在 複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】

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【PyroNFC】スマートホン設定式赤外線放射温度センサー

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【ExTemp】本質安全防爆型赤外線放射温度センサー

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【PyroUSB】USB接続式 高精度赤外線温度センサー

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この製品に関するニュース(12)

ANNEALウエハーアニール装置の製品画像

ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応

  • 製品ニュース

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

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Mini-BENCH小型実験炉(Φ2inch仕様)の製品画像

□■□■【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■□■

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卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他

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MAG seriesマグネトロンスパッタリングカソード

★【マグネトロンスパッタリングカソード】★ テルモセラ・ジャパン

  • 製品ニュース

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。 【特徴】 ・高真空対応 ・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要 ・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能 ・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富 ・各種フランジサイズ接続に対応 【主仕様】 ■RF, DC, パルスDC対応 ■ターゲット厚さ:1/16"〜1/4" ■N型同軸コネクター接続 ■水冷式:4ℓ/min, 0.35Mpa Φ6mmチューブ接続 ■ケース材質:SUS304 ■ターゲットクランプ材質:Al, or SUS304 ■ベローズ(*Flexi-headタイプ)材質:SUS316 ■絶縁材:PEEK/PTFE ■シール材:Viton ■高強度マグネットパック:NiFe

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【nanoCVD-8G】画像

☆★☆★【nanoCVD-8G】グラフェン合成装置 ☆★☆★

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◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温:1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御:±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム:ガス3系統(Ar, H2, CH4) ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ:405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ,30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続,PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ:40 x 40mm:銅(ニッケル)箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板,他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統(Ar, H2, CH4) ・試料加熱ステージ(高純度グラファイト)Max1100℃ ・Kタイプ熱電対

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テルモセラ・ジャパン株式会社

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産業用電気機器

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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。

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