多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水：3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。 【特徴】 ・高真空対応 ・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要 ・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能 ・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富 ・各種フランジサイズ接続に対応 【主仕様】 ■RF, DC, パルスDC対応 ■ターゲット厚さ：1/16"〜1/4" ■N型同軸コネクター接続 ■水冷式：4ℓ/min, 0.35Mpa Φ6mmチューブ接続 ■ケース材質：SUS304 ■ターゲットクランプ材質：Al, or SUS304 ■ベローズ（*Flexi-headタイプ）材質：SUS316 ■絶縁材：PEEK/PTFE ■シール材：Viton ■高強度マグネットパック：NiFe

◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対