スパッタリング装置の製品一覧
- 分類：スパッタリング装置
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
先端パッケージへの展開 300×300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案いたします
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- アニール炉
「FHR.Star.600-EOSS」は、精密な光学フィルター成膜用として開発された高機能マグネトロンスパッタ装置です。
- スパッタリング装置
大好評 高精密光学フィルター成膜用マグネトロンスパッタ装置
今後大きな需要が期待されるLiDAR用途など、多層化と高再現性が求められる高機能光学フィルター等の光学薄膜に特化した装置です。高品質かつ安定生産に力を発揮します。 ・シリンダー型カソードによる、ターゲット消耗による膜質変化の影響を廃した製膜 ・リアクティブイオンソースの搭載による、酸化膜の安定成膜 ・最大４基のカソードの搭載による、幅広い多層膜の成膜
指向性成膜を実現し、リアクティブスパッタリングも可能な高イオン電流ヘリコンプラズマイオンソースPVDモジュール
- スパッタリング装置
- プラズマ発生装置
FHR Star.100-Tetra CoはMEMSや高機能光学製品向けに設計された非常にコンパクトなスパッタリング装置です。
- スパッタリング装置
高機能・高品質なマグネトロンスパッタカソード！ 販売・修理/メンテも対応可能
- スパッタリング装置
- 真空機器
- その他金属材料
スパッタカソード サービスセンター開設いたしました
2024年４月より、アメリカオングストローム・サイエンス社製「マグネトロンスパッタカソード」の点検・修理のサービスセンターを開設いたします。 新たなサービスセンターにはクリーンルーム設備をはじめ、真空リークチェッカー、各種検査機器を常備して万全な体制でのメンテナンスを実施いたします。 すべての作業はAngstromeScience社での研修を修了した有資格者が指導・監修し、アメリカ本国の修理と同様のサービスを提供いたします。 これまでは、故障に伴う修理を中心に対応をいたしておりましたが、サービスセンター開設を機に定期メンテナンスをお引き受けすることができるようになりました。 定期的にカソードの点検を行って、ダウンタイム無しでの運用をサポートいたします。
MEMS Engineer フォーラム 2025 出展いたします
MEMS Engineerフォーラムは、21世紀のキーテクノロジーとされるMEMS技術のキープレイヤーの中でもエンジニアを中心に運営されるユニークなフォーラムです。 世界中のMEMS研究者、開発者、技術者が一堂に集うこのフォーラムの技術展示会にて、Plasma Quest Ltd.社製 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置のご紹介と技術展示をいたします。 弊社展示のみならず、MEMSに関する最先端の技術をご覧いただける絶好の機会でございます。ぜひ足をお運びいただきたくご案内申し上げます。 会場： 国際ファッションセンター ホール 〒130-0015 東京都墨田区横網1-6-1 国際ファッションセンタービル アクセス https://www.tokyo-kfc.co.jp/access/ 展示製品： Plasma Quest Ltd. 社製 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置 https://mono.ipros.com/product/detail/2001148974 https://www.plasmaquest.com/
リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します
- スパッタリング装置
- プラズマ発生装置
- その他表面処理装置
PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました
ご紹介開始より、各社様からご好評を頂いております、PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました。 リモートプラズマ ターゲットバイアス スパッタリングの動画を掲載いたしました。 ご質問、ご要望等ございましたらお気軽にお問い合わせください。
受託テスト成膜サービス（高品位反応膜などの試験成膜）のご案内
これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究。 次世代のMEMS用途として注目されるAlScN成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。 ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層薄膜も成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。
貴社の装置を ボルトオン、カプラーオンで延命化いたします
- スパッタリング装置
- ソレノイド・アクチュエータ
- 搬送・ハンドリングロボット
ティー・ケイ・エス株式会社 長岡サービスセンター開設 ワンストップでの装置再生と延命化を実現いたします
近年、稼働中の装置延命化のご依頼を多数頂戴いたしております。 近年では装置並びに構成部品の高機能化により、修理対応も専門化が進みました。その専門化に伴い、修理対応は分業・専業化し総合的な診断と検証による「修理」の提供が難しくなってきております。 本サービスセンターの開設により、確かな技術を持つ弊社エンジニアによる「装置の総合診断」と全国に点在するパートナーエンジニアの「専門技術の統合」を行い、ワンストップでの再生と延命化をご提供いたします。
SiC/Si複合材料をターゲット材としてご使用頂いております。
- スパッタリング装置
- その他金属材料
- ファインセラミックス
標準モデル登場！低コスト・短納期で提供可能になりました｡ 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- その他半導体製造装置
高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ、4元マルチスパッタ（Φ2〜4inchカソード）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
