スパッタリング装置の製品一覧
- 分類：スパッタリング装置
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１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
真空蒸着（金属・有機蒸着源）、スパッタリングカソードの混在設置が可能な「複合型」薄膜実験装置 nanoPVD-ST15A
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。
- スパッタリング装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
標準モデル登場！低コスト・短納期で提供可能になりました｡ 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- その他半導体製造装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
□■【Mini-BENCH furnace】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空中、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション）
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空中、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション）
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
□■【Mini-BENCH furnace】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空中、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション）
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ、4元マルチスパッタ（Φ2〜4inchカソード）
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
- その他半導体製造装置
- スパッタリング装置
□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。
80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能
超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント
- スパッタリング装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空中、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション）
蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。
80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
◾️◾️真空用【CH 超高温円筒状ヒーター】Max1800℃ ◾️◾️
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
先端パッケージへの展開 300×300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案いたします
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- アニール炉
「FHR.Star.600-EOSS」は、精密な光学フィルター成膜用として開発された高機能マグネトロンスパッタ装置です。
- スパッタリング装置
大好評 高精密光学フィルター成膜用マグネトロンスパッタ装置
今後大きな需要が期待されるLiDAR用途など、多層化と高再現性が求められる高機能光学フィルター等の光学薄膜に特化した装置です。高品質かつ安定生産に力を発揮します。 ・シリンダー型カソードによる、ターゲット消耗による膜質変化の影響を廃した製膜 ・リアクティブイオンソースの搭載による、酸化膜の安定成膜 ・最大４基のカソードの搭載による、幅広い多層膜の成膜
指向性成膜を実現し、リアクティブスパッタリングも可能な高イオン電流ヘリコンプラズマイオンソースPVDモジュール
- スパッタリング装置
- プラズマ発生装置
FHR Star.100-Tetra CoはMEMSや高機能光学製品向けに設計された非常にコンパクトなスパッタリング装置です。
- スパッタリング装置
高機能・高品質なマグネトロンスパッタカソード！ 販売・修理/メンテも対応可能
- スパッタリング装置
- 真空機器
- その他金属材料
スパッタカソード サービスセンター開設いたしました
2024年４月より、アメリカオングストローム・サイエンス社製「マグネトロンスパッタカソード」の点検・修理のサービスセンターを開設いたします。 新たなサービスセンターにはクリーンルーム設備をはじめ、真空リークチェッカー、各種検査機器を常備して万全な体制でのメンテナンスを実施いたします。 すべての作業はAngstromeScience社での研修を修了した有資格者が指導・監修し、アメリカ本国の修理と同様のサービスを提供いたします。 これまでは、故障に伴う修理を中心に対応をいたしておりましたが、サービスセンター開設を機に定期メンテナンスをお引き受けすることができるようになりました。 定期的にカソードの点検を行って、ダウンタイム無しでの運用をサポートいたします。
MEMS Engineer フォーラム 2025 出展いたします
MEMS Engineerフォーラムは、21世紀のキーテクノロジーとされるMEMS技術のキープレイヤーの中でもエンジニアを中心に運営されるユニークなフォーラムです。 世界中のMEMS研究者、開発者、技術者が一堂に集うこのフォーラムの技術展示会にて、Plasma Quest Ltd.社製 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置のご紹介と技術展示をいたします。 弊社展示のみならず、MEMSに関する最先端の技術をご覧いただける絶好の機会でございます。ぜひ足をお運びいただきたくご案内申し上げます。 会場： 国際ファッションセンター ホール 〒130-0015 東京都墨田区横網1-6-1 国際ファッションセンタービル アクセス https://www.tokyo-kfc.co.jp/access/ 展示製品： Plasma Quest Ltd. 社製 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置 https://mono.ipros.com/product/detail/2001148974 https://www.plasmaquest.com/
リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します
- スパッタリング装置
- プラズマ発生装置
- その他表面処理装置
PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました
ご紹介開始より、各社様からご好評を頂いております、PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました。 リモートプラズマ ターゲットバイアス スパッタリングの動画を掲載いたしました。 ご質問、ご要望等ございましたらお気軽にお問い合わせください。
受託テスト成膜サービス（高品位反応膜などの試験成膜）のご案内
これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究。 次世代のMEMS用途として注目されるAlScN成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。 ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層薄膜も成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。
貴社の装置を ボルトオン、カプラーオンで延命化いたします
- スパッタリング装置
- ソレノイド・アクチュエータ
- 搬送・ハンドリングロボット
