スパッタ/EB複合蒸着 デュアルチャンバー装置

テルモセラ・ジャパン【基板加熱ヒーター】CVD, ALD, PVD（スパッタ・真空蒸着）等の薄膜実験用に最適な1inch〜4inch超高温基板加熱ヒーターのカタログの最新版に更新しました。 ◉ 最高使用温度850℃（SH-IN）、1100℃（SH-BN） 基板ホルダ、上下昇降機構・基板回転機構・RFバイアスなどのカスタマイズ品ご要求にも対応致します。 又、ヒーターコントローラは従来の据置型に加え19inchラックマウントも取扱います。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）

モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4極 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。