蒸着装置の製品一覧

  • 分類:蒸着装置

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100万回繰り返しても壊れない!確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。

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小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

有機蒸着源〜800℃、金属蒸着源〜1500℃、真空用 高温加熱セルとしても使用できる高性能真空蒸着ソースです。

  • 蒸着装置
  • 加熱装置
  • 電気炉

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

真空蒸着(金属・有機蒸着源)、スパッタリングカソードの混在設置が可能な「複合型」薄膜実験装置 nanoPVD-ST15A

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置

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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar(*10-6mbar台まで最速15分) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3元)、又は"(1元源) ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

標準モデル登場!低コスト・短納期で提供可能になりました。 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • その他半導体製造装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

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  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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多機能マグネトロンスパッタリング装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。

  • 蒸着装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

金属材料はもちろん、薄膜、イオン注入層・窒化層等の表面処理層、プラスチック・ゴム・セラミックス等の非金属材料の表面強度試験

  • スクリーンショット 2025-11-26 102950.png
  • スクリーンショット 2025-11-26 103141.png
  • ゴム
  • 蒸着装置
  • 薄膜蒸発装置

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モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • アニール炉

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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

Au合金をはじめ各種蒸着材料を用途に応じて提供。安定供給と納期短縮で、生産効率とコスト管理を両立する蒸着材料販売サービス

  • 蒸着装置
  • その他金属材料

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蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • CVD装置

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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

  • 蒸着装置

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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ、蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結

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  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar(*10-6mbar台まで最速15分) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3元)、又は"(1元源) ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6, 8inch用)

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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

  • 蒸着装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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★【MiniLab-070】フレキシブル薄膜実験装置★ テルモセラ・ジャパン

コンパクト/省スペース、ハイスペック 70ℓ容積 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込みことができる、様々な用途に対応可能なマルチ薄膜実験装置 コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着元 x 最大4 ・有機蒸着元 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング:メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ(MiniLab-060):1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ、蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ、4元マルチスパッタ(Φ2〜4inchカソード)

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • エッチング装置

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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar(*10-6mbar台まで最速15分) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3元)、又は"(1元源) ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • CVD装置

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多機能マグネトロンスパッタリング装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • エッチング装置

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□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

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□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。

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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar(*10-6mbar台まで最速15分) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3元)、又は"(1元源) ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

樹脂基板への成膜に最適! 大量生産を高次元で実現

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ヤシマの電子ビーム蒸着装置はすべてカスタムオーダー。ムダなく、将来の拡張性高く、シンプル。それで価格もリーズナブル。

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信頼性の高いシステムを構築!メンテナンスや改造も当社にお任せください

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信頼性の高い製品をご提供!ノウハウに応じた先端測定機と加工機を自社装備しています

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「顧客満足と技術力を限りなく追求し、社会に貢献する」という経営理念のもとに事業を展開

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さまざまなチャンバーサイズやプロセス・自動化を選択可能なBAK蒸着プラットフォームをご紹介

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好適な表面処理によるパーティクル低減!ロードロック式による高真空プロセスに対応

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「2段階複合Pt成膜装置」などの実績を保有!ご用命の際はお問い合わせください

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プラズマクリーニング室、有機蒸着室、電極蒸着室、封止室等を自由に選択できます!

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最高900℃の高温プロセスが可能!エピタキシャル促進機構により単結晶成膜に適した製品です。

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同じ剛性でアルミ板の1/5、鋼板の1/10の超軽量化を実現し、コスト削減に貢献するアルミハニカムパネル!

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アルミの1/5の超軽量!剛性を保ちつつ大幅な軽量化を実現するアルミハニカムパネル!寸法やロットによってはコストダウンも可能です!

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アルミハニカムパネルの無料サンプル&活用事例集を進呈中!同等の剛性でアルミ板の1/5、鋼板の1/10以下の重量を実現!

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クリーンな成膜が可能な小型真空蒸着装置!シャッタを具備しているので安定した状態で蒸着ができます!

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ビューラー・ライボルトオプティクスの光学用スパッター装置

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用途や目的に応じて任意にカスタマイズ可能な真空蒸着装置

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無加熱成膜でも密着性が良く、充填密度の高い薄膜が形成できます

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