スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他

研究開発の現場で求められる均一性の高い「高品質」な薄膜を作成するための様々な条件を備えます。nanoシリーズはコンパクトボディに機能を凝縮した高性能装置です。 欠陥が少なく良質な成膜に欠かせない要素である高真空環境・十分なT/S調整距離を確保する堅牢で機密性が高いステンレスチャンバー・高真空ポンプを採用。又、全モデルに共通するIntelliDepソフトウエア。直感的で分かりやすいタッチパネル操作で作業者の習熟度を問わずどなたでも操作いただけます。 【nano Benchtopコンパクト薄膜実験装置】 ◉ nanoPVD-S10A：RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ◉ nanoPVD-T15A：有機膜・金属膜蒸着装置 ◉ nanoPVD-ST15A：蒸着・スパッタ混在 複合型薄膜実験装置 ◉ ANNEAL：ウエハーアニール装置 ◉ nanoCVD：グラフェン/CNT合成装置 ※ その他詳細仕様は当社までお問合せ下さい。

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

＜30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン）エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要） • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング