アニール炉の製品一覧

  • 分類:アニール炉

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設計から製造、メンテナンスまで一貫対応いたします!

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100万回繰り返しても壊れない!確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。

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小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

コンパクト・省スペース・省エネルギー! 高性能 R&D用超高温実験炉

  • アニール炉

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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar(*10-6mbar台まで最速15分) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3元)、又は"(1元源) ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

CVD, PVD(蒸着, スパッタ等)均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター

  • その他半導体製造装置
  • アニール炉
  • CVD装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置

  • CVD装置
  • アニール炉
  • 加熱装置

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • アニール炉

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • アニール炉

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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

「2秒で1000℃」の急速加熱!微細化と多層化(3D実装)が進む半導体の加熱プロセスに好適!

  • IMG_20260616_112031.jpg
  • アニール炉

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Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

  • アニール炉

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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar(*10-6mbar台まで最速15分) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3元)、又は"(1元源) ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉

  • 加熱装置
  • アニール炉
  • 電気炉

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【MiniLab-125】 12inch対応 多元マルチスパッタ装置 1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング )・ロードロック機構を備えた小規模生産・パイロットラインにも活用いただけるハイパフォーマンス装置

多元マルチスパッタリング装置(Φ12inch基板対応) ・4元同時成膜(DC, RF, 又はPulseDC)スパッタ ・RF3050W, DC1.5KW両電源を4元カソード(Source1, 2, 3, 4)へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃! 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。

  • 加熱装置
  • 電気炉
  • アニール炉

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【MiniLab-125】 12inch対応 多元マルチスパッタ装置 1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング )・ロードロック機構を備えた小規模生産・パイロットラインにも活用いただけるハイパフォーマンス装置

多元マルチスパッタリング装置(Φ12inch基板対応) ・4元同時成膜(DC, RF, 又はPulseDC)スパッタ ・RF3050W, DC1.5KW両電源を4元カソード(Source1, 2, 3, 4)へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉

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多機能マグネトロンスパッタリング装置 【MiniLab-S070】

Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

  • アニール炉
  • 加熱装置
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【MiniLab-125】 12inch対応 多元マルチスパッタ装置 1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング )・ロードロック機構を備えた小規模生産・パイロットラインにも活用いただけるハイパフォーマンス装置

多元マルチスパッタリング装置(Φ12inch基板対応) ・4元同時成膜(DC, RF, 又はPulseDC)スパッタ ・RF3050W, DC1.5KW両電源を4元カソード(Source1, 2, 3, 4)へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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★【MiniLab-070】フレキシブル薄膜実験装置★ テルモセラ・ジャパン

コンパクト/省スペース、ハイスペック 70ℓ容積 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込みことができる、様々な用途に対応可能なマルチ薄膜実験装置 コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着元 x 最大4 ・有機蒸着元 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング:メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ(MiniLab-060):1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

  • アニール炉

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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン)エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

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【MiniLab-125】 12inch対応 多元マルチスパッタ装置 1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング )・ロードロック機構を備えた小規模生産・パイロットラインにも活用いただけるハイパフォーマンス装置

多元マルチスパッタリング装置(Φ12inch基板対応) ・4元同時成膜(DC, RF, 又はPulseDC)スパッタ ・RF3050W, DC1.5KW両電源を4元カソード(Source1, 2, 3, 4)へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

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□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着(金属/絶縁物/有機材料)、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ:Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ(標準500℃、Max1000℃) ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • アニール炉

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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar(*10-6mbar台まで最速15分) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3元)、又は"(1元源) ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

「±3℃の高精度制御×多段制御、省スペースで大量生産を自動化する連続炉

  • 加熱装置
  • アニール炉
  • 乾燥機器

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「±1.5℃の高精度温度制御を実現」

  • 熱処理乾燥機器
  • アニール炉
  • 乾燥機器

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先端パッケージへの展開 300×300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案いたします

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  • エッチング装置
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大型基板対応真空・還元雰囲気シンタリング炉│半田付け、焼結接合、Cuビア焼成等多目的処理が可能です。

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  • リフロー装置

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多品種少量生産や大型部品にも好適なアニール装置の導入事例をご紹介します!

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縦型・真空・大気・脱ガスなど多様な熱処理炉を展開し、様々な熱処理ニーズに応じてオーダーメイド対応で提供

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ギ酸還元のメリットとアプリケーションを徹底解説(ユニテンプジャパン製)

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多様な装置を設計、製造したノウハウ!豊富な知識や経験でパワフルにサポート

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その技術、AIや半導体メーカーの選定者に伝わっていますか? 事業と営業を“構造”で揃え、次世代選定の土台を作る。

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ゴム材料中で特に耐熱性に優れたマクセルクレハのフッ素ゴムシート

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水素ガスを利用し、ステンレスの光輝処理が可能!

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トロリーライン対応 通過型乾燥炉 ドライテック

塗装用乾燥機「ドライテック」は、トロリーライン対応可能です。 山形乾燥炉など、古くからトロリーラインに対応している「ドライテック」は、バッチ式乾燥機もトロリーラインに対応可能です。 立ち上がりが早いドライテックは、生産性が良く、しかも、燃費効率も良い熱交換器を内蔵。 拡張性に富んだパネル構造の天井内部に、トロリーラインを設計。自動式、手動式に対応可能です。

トレイ搬送にも対応可能!優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現

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基板加熱温度最高1000℃!基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減!

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R&D~量産まで使用可能!3~6インチウェーハ対応の自動搬送搭載縦型炉

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炉内は横3.5m、縦3.5m、奥行7.0m。大型ワークの熱処理が可能!

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【2026年9月9日(水)~9月11日(金)】『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』出展のご案内

株式会社成田製作所は、東京ビッグサイトにて開催される 『THERMOTEC 2026 第9回 国際工業炉・関連機器展』に、 NARITAグループとして出展いたします。 本展は「環境・熱・未来 ~ともに考えよう 高効率な熱技術と 持続可能な未来~」をテーマに、先進の工業炉・熱技術が一堂に 会する国際展示会です。 当社では、コンパクト型バリアブル コントロール弁をはじめ、 オリフィスメータ、ニードルバルブといった水素でも使用可能な 3製品の展示を予定しております。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。

ウォームアップ/クーリングダウン時間なし。高品質な連続アニール処理が可能

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  • その他加工機械

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超高温熱処理と優れた温度均一性の実現により、ブール・インゴット、ウエハのバッチ処理が可能であり、欠陥や転位を最小限に抑えます。

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  • その他半導体製造装置
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ランプ加熱式の為にRTP、RTCVD処理可能!クオーツ製チューブ型チャンバー

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ターボポンプ搭載可能!低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメーター

  • アニール炉

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最大156mm×156mm基板対応!真空又は大気搬送装置及びロードロック搭載可能

  • アニール炉

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アニール処理後急速冷却機構!Annealsys社の高速熱処理装置をご紹介

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放熱がひどく環境が悪化していたアニール炉に「えこきーぱー」を施工した事例をご紹介!

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カネコ化学 洗浄剤 製造品目

  • アニール炉

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化合物半導体の電極膜の合金化・低抵抗化に多用されている石英管タイプのアニール装置。高温処理型で急冷機構装備。透明電極膜にも対応

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  • 加熱装置

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小径ウェハ(4インチ)や化合物半導体のニッチプロセスに対応。結晶プロセスにもウェハプロセス(合金化や電極アニール)にも対応。

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  • 電気炉
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