真空炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』

抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）・有機蒸着源（有機材料）・マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）などのソース混在システム。 2種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に最大3源まで設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大2源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大2） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

多元マルチスパッタリング装置（Φ12inch基板対応） ・4元同時成膜（RF, DC, 又はPulseDC） ・RF300W, DC1.5KW両電源を4元カソード（Source1, 2, 3, 4）へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。