【Nanofurnace】BWS-NANO 熱CVD装置

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用

◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換アニール（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用

◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換アニール（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用