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◆OLED◆ 有機蒸着・高温用金属蒸発源 Max1500℃

最終更新日:2024年10月12日

テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
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有機蒸着源〜800℃、金属蒸着源〜1500℃、真空用 高温加熱セルとしても使用できる高性能真空蒸着ソースです。

OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空蒸着用 高温蒸着ソースです。 固定ベースを外さずにボディを差し替えるだけで、有機EL等の低温有機蒸着(~ 800℃)用セルと高温加熱(~ 1500℃)セルを交換することができます。 真空成膜用ソースとしてお使いの場合はシャッター・アクチュエータも用意。 800℃以上の高温ヒーターとしてお使いの場合は、内部シールド構造を備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 シャッターはフリップ式を採用 チャンバー内に複数のOLEDソースを設置しても他のコンポーネントに干渉することがありません。 上部キャップを外すだけで坩堝を取り出すことができますので、材料の充填・補充作業に手間がかかりません。 本体部は、1cc 坩堝用(最大充填量1.5cc)、10cc 坩堝用(最大充填量15cc)があり、固定ベースをチャンバーから外さず本体ボディをベースに差し替えるだけで交換可能。 熱電対はK、Cのいずれもご指定いただけます。 るつぼ:アルミナ(標準)、石英、PBN、カーボンが選択できます。

    蒸着装置加熱装置電気炉
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◆OLED◆ 有機蒸着・高温用金属蒸着セル Max1500℃

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  • テルモセラ・ジャパン OLED 高温用蒸発源 Max1500℃
  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/thermocera/product/

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基本情報

【主仕様】 ■最高制御温度:800℃、又は1500℃ ■使用環境:真空中・不活性ガス(*O2 は800℃まで) ■ヒーター:タングステンフィラメント ■るつぼ容積:1cc(最大充填量1.5cc) ■るつぼ材質:アルミナ(標準) ■ケース材質:SUS304, 又はモリブデン ■熱電対:K タイプ、又はC タイプ 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質:PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター:NiCr 線, カンタル線(*O2 用) ⚫︎るつぼ容積:10cc(最大充填量15cc) ⚫︎シャッター:空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー(ヒーター・シャッター制御ボックス)

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※受注後約6週間

用途/実績例

高真空中るつぼ加熱ヒーター、真空蒸着用 有機材料蒸着源、高温蒸発金属蒸着源など。

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◆HTEヒーター/OLED有機蒸着・高温金属蒸着セル◆ Max1500℃

◆HTEヒーター/OLED有機蒸着・高温金属蒸着セル◆ Max1500℃

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ウエハースケール グラフェン合成装置【nanoCVD-WGP】

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★nano BenchTopシリーズ 薄膜実験装置★

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◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置

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BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

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【SH 高温 基板加熱ヒーター】(Inc/BNプレート Max1100℃)PVD CVD 真空薄膜用 高温 プレートヒーター

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ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ヒーター

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【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃

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Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃

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【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max2000℃

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実験炉・ヒーター_「PRODUCTS GUIDE_2025」

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薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2025」

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多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S070】

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【TCF-C500】超高温小型実験炉 Max2900℃

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この製品に関するニュース(44)

ANNEALウエハーアニール装置の製品画像

ウエハーアニール装置【nanoANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応

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Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

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高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃

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◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲(るつぼ寸法) ・面状ヒーター加熱範囲:Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲:Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御(又は手動調整) ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm(*ロータリーポンプ筐体内設置) 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

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◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃

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MiniLab-LT26A 小型真空蒸着装置

★☆★☆【MiniLab-026】R&D開発用 小型薄膜実験装置★☆★☆

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モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ(最大3元)もしくは抵抗加熱蒸着(金属源 最大2、有機材料x4)に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます(*要仕様協議)。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード(最大3元) ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式(最大4極 コントローラで自動切替) ◉ 有機蒸着セル:1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能(オプション 要仕様協議) ◉ その他オプション: 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。

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