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MiniLab-S070A

最終更新日:2026年08月18日

テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
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コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF500W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。

    CVD装置スパッタリング装置蒸着装置
MiniLab-S060A_1_1.jpg

スパッタリング装置 多機能スパッタ装置MiniLab-S070A

MiniLab-S060A_1_1.jpg
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  • テルモセラ・ジャパン MiniLabシリーズフレキシブル薄膜実験装置
  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/thermocera/product/

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基本情報

【主仕様】 ・SUS304 70ℓ容積 438x425x425mm フロントローディングチャンバー ・最大基板サイズ:Φ11inch ・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプ可) ・真空排気:真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着:最大4元(Model. TE1~TE4蒸着元) ・有機蒸着:最大4元(Model. LTEC-1cc/5cc) ・電子ビーム蒸着源:7ccるつぼx6(又は4ccるつぼx8) ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大4元 ・プロセス制御:手動、又は自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御、デポレート・膜厚レート制御 ・膜厚モニタ:水晶振動子センサヘッド ・膜厚制御:Inficon社 SQC-310 2ch/4ch薄膜コントローラ  ・その他オプション:基板回転/昇降, 基板加熱(Max500℃、又は800℃), プラズマエッチングステージ, ドライポンプ , ロードロック機構

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用途/実績例

電子デバイス・太陽電池・ディスプレイ等の製造工場、大学・研究機関、薬品・化学工場、食品工場、他多数

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【nanoCVD-8G】グラフェン合成装置

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スパッタ・蒸着ソース混在 複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】

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ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ヒーター

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実験炉・ヒーター_「PRODUCTS GUIDE_2025」

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この製品に関するニュース(8)

【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム

  • 製品ニュース

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ - 蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能(写真下)。 1. MiniLab-E080A(蒸着装置) ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A(スパッタリング装置) ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D(PMMA等のレジスト除去など)、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。(*メインチャンバーステージへも搭載可能です)

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nanoPVD-ST15A

☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆

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抵抗加熱蒸着源(金属蒸着)・有機蒸着源(有機材料)・マグネトロンスパッタ(金属・絶縁材)などのソース混在システム。 2種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に最大3源まで設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 【仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ4inch ◉ スパッタリング:2"カソード x 最大2源 ◉ 真空蒸着:抵抗加熱蒸着(最大2)、有機蒸着(最大2) ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

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MiniLab-S070A薄膜実験装置

4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】自動連続多層膜・同時成膜 RF/DC/PulseDC

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Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

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BHシリーズ 超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1600℃

BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

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高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD(スパッタ、蒸着、EB等)、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易(M6スタッドボルト、支柱) 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対:素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線(Nb, Mo, Pt/Re, WRe他) ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更(PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他) ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。

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