誘電体、強磁性体成膜を高レートかつ高品位に高速成膜
従前のマグネトロンスパッタでは成膜レートが低くなるAl2O3、SiO2などの誘電体、 Feなどの強磁性体の成膜で力を発揮する高速イオンビームスパッタ（IBD)装置です。 ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 ターゲット面全体を高効率で利用するため、貴重・希少なターゲットを用いる成膜工程でのコスト削減にも貢献します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 高速スパッタリングと低コンタミの両立 ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 グリッドレス構造によるメンテナンス低減 リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 ステップカバレージの向上 クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜
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基本情報
リモートプラズマイオンソース採用 グリッドレスソースとターゲットバイアスを組み合わせた画期的スパッタ法 ▸高い直進性による異方性成膜の実現 ▸リモートプラズマによる低温成膜の実現 ▸グリッドレス構造によるメンテナンスコスト低減の実現 ▸ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減を実現
価格帯
納期
用途／実績例
・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・磁気ディスク ・スピントロニクス素材 ・MEMS ・EUVマスクブランクス ・有機半導体 ・樹脂基板成膜 など、高磁性体、高誘電体の成膜用途に最適
詳細情報
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ヘリコンイオンソースによる10^13 cm-3にも達する高密度なイオンが高レートでのスパッタを実現します。グリッドを持たない構造のため、洗浄のメンテナンスが不要となります。
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ヘリコンイオンソースの高密度なイオンをターゲットへの印加で加速させてスパッタさせます。 リモートプラズマ構造の採用により、イオン源からのイオンボンバードメントの影響を受けずに、基盤を低温に保ってのスパッタが可能です。
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ヘリコンイオンソースとターゲット印加による直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜を実現。 ステップカバレッジの優れた成膜を実現できます。
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この製品に関するニュース（1）
企業情報
半導体・電子デバイス・光学薄膜製造装置のことなら当社へ 当社は、2016年3月に真空プロセスに関連する世界の先進技術を有する 海外メーカー数社の代理店業務ならびにこれら装置に係わる保守業務を 提供する目的で設立致しました。 当社の取扱製品・装置は、スパッタリング、高密度プラズマソースおよびパルス電源、 イオンビームエッチング・ミリング、イオンビームスパッタリング、 中性クラスターイオンビームプロセス装置、有機材料昇華精製並びに成膜装置、 液体用各種フィルター、洗浄用ブラシなど多岐にわたっています。