受託成膜サービス（高品位反応膜などの試験成膜）

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基本情報

ー　　ご研究過程でのアイデアを実現するテクノロジー 　　ー イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール 　→スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 　→ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 　→イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 　→幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 　→各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 　→ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 　→ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜 --- リアクティブ成膜時の 広大なプロセスウインドウ --- --- 低温成膜とストレスコントロール---

価格帯

納期

用途／実績例

各種成膜試験研究用途に 新たな素材探索用途に ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・AlScN

詳細情報

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  --- リアクティブ成膜時の 広大なプロセスウインドウ --- ヘリコンプラズマソースから供給される高密度なイオンにより、スパッタアウトされたターゲット材がイオン化されます。 イオン化されたターゲット材がそのまま基板まで届くため、基盤上での成膜時にピンポイントで反応させることが可能です。　従前のスパッタ制御では実現できなかった、幅広いプロセスウインドウにより、再現性の高い反応膜の成膜を実現します。

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  --- 低温成膜とストレスコントロール--- イオン源とスパッタポイントが独立しているため、基盤面はプラズマ照射の熱影響を受けません。　また、スパッタレートのコントロールにより、成膜時のストレスコントロールも自在に行えます。

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  --- ヘリコンイオンソースによる高密度なイオン --- 10^13 cm-3にも達する高密度なイオンが、高レートでのスパッタを実現します。グリッドを持たない構造のため、洗浄のメンテナンスが不要となります。