加熱システムのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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加熱システム - 企業ランキング(全10社)

更新日： 集計期間:2025年09月24日〜2025年10月21日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

会社名 代表製品
製品画像・製品名・価格帯 概要 用途/実績例
日精株式会社 日精株式会社 本社
Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

1000万円 ~ 5000万円

 【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 700mm ■装置重量：約55kg ■有効対象物サイズ（WxD）：100 x 100mm ■加熱方式：IRヒーター ■最大到達温度：1200℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/sec. ... 【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減
Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

1000万円 ~ 5000万円

 【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 570mm ■装置重量：約80kg ■有効対象物サイズ（WxD）：156 x 156mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：1000℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/se... 【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減
Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300
Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

1000万円 ~ 5000万円

 【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 830mm ■装置重量：約105kg ■有効対象物サイズ（WxD）：300 x 300mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：1000℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/s... 【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減
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  1. 日精株式会社 日精株式会社 本社
    代表製品
    Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
    概要
    【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 700mm ■装置重量：約55kg ■有効対象物サイズ（WxD）：100 x 100mm ■加熱方式：IRヒーター ■最大到達温度：1200℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/sec. ...
    用途/実績例
    【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減
    Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
    概要
    【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 570mm ■装置重量：約80kg ■有効対象物サイズ（WxD）：156 x 156mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：1000℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/se...
    用途/実績例
    【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減
    Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300
    概要
    【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 830mm ■装置重量：約105kg ■有効対象物サイズ（WxD）：300 x 300mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：1000℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/s...
    用途/実績例
    【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減
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