GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケーションに応用頂けるアニール炉です。ユニテンプジャパン製
『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下18本のIR (赤外）ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能） ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 700mm ■装置重量：約55kg ■有効対象物サイズ（WxD）：100 x 100mm ■加熱方式：IRヒーター ■最大到達温度：1200℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/sec. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃） ■冷却方式：窒素ガスパージ方式 ■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700） ■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム ■プログラムステップ数：最大50ステップ ■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet ■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大40A（合計80A） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報
1000万〜1500万円（機種・オプションに依る）
価格帯
1000万円 ~ 5000万円
納期
※ご注文確定より最短3ヶ月〜4ヶ月（状況により納期が変動しますので、詳しくはお問い合わせください。）
用途／実績例
【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ラインアップ（6）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| RTP-100 | |
| RTP-100-HV | |
| RTP-150 | |
| RTP-150-HV | |
| RTP-150-EP | |
| VPO-1000-300 |
カタログ（3）
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企業情報
お客様のニーズに柔軟、迅速に対応。 「商社」機能分野では、有力専門メーカーと連携の上、先端のメカトロニクス技術を駆使し、付加価値を付与することで高度情報化社会に適合した真に魅力的で、お客様のニーズにお応えできる商品・サービスを提供できるよう総力をあげて取り組んでおります。 「機械式駐車設備」事業では、お客様の様々なニーズにお応えするべく、高品質で、環境に優しく、安全に配慮した製品の製造・据付とともに、蓄積された豊富な経験と技術に基づき、全国に隈なく展開するサービスネットワークで24時間の保守サービスを提供しており、お客様から厚い信頼を頂いております。 「凍結乾燥設備」事業は、日本産業機械工業会より経済産業大臣賞を頂いた密閉チューブ方式凍結乾燥機など、次世代の「凍結乾燥機」の開発から小型試験研究用・大型生産用装置の納入・保守、さらには、医薬品・食品の開発支援までを業界のリーダーとして一貫して事業展開しており、高い評価を頂いております。 ◆各拠点 札幌、日立、名古屋、大阪、福岡、山口 ◆海外子会社 タイ 事業内容： 樹脂成型品、金属加工品、板金等及び梱包資材、電子部品の販売