イオンビームスパッタ装置 - 企業ランキング(全5社)
更新日： 集計期間:2025年08月06日〜2025年09月02日
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| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| 独自技術HiTUSテクノロジー ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加のみでグリッドレス加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体成膜や誘電体反応膜においても安定した製膜を実現します。 イオン密度とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 イオン供給量とスパッタレートのコントロールでイオン化したターゲット材を基板まで届かせ、基盤面での成膜時に反応させ るリアクティブ制御も容易です。 ２インチから８インチ径までのターゲットを多連装し、切り替えながらの多層膜の成膜はもちろん、複数のターゲットへの同時印加でCo-スパッタ成膜も容易に行えます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多反応多層膜も再現良く成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。 | 各種成膜試験研究用途に 新たな素材探索用途に ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・ScAlNなどの合金反応膜 | ||
| ー ご研究過程でのアイデアを実現するテクノロジー ー イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール →スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 →ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 →各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 →ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜 --- リアクティブ成膜時の 広大なプロセスウインドウ --- --- 低温成膜とストレスコントロール--- | 各種成膜試験研究用途に 新たな素材探索用途に ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・AlScN | ||
| 高密度イオンソースの開発製造 ターゲットバイアス印加によるスパッタ装置の開発製造 | スピントロニクス用途研究 高磁性薄膜ヘッド用途研究 MEMS開発研究 光学薄膜研究 | ||
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ティー・ケイ・エス株式会社
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- 代表製品
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リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置
- 概要
- 独自技術HiTUSテクノロジー ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加のみでグリッドレス加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体成膜や誘電体反応膜においても安定した製膜を実現します。 イオン密度とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 イオン供給量とスパッタレートのコントロールでイオン化したターゲット材を基板まで届かせ、基盤面での成膜時に反応させ るリアクティブ制御も容易です。 ２インチから８インチ径までのターゲットを多連装し、切り替えながらの多層膜の成膜はもちろん、複数のターゲットへの同時印加でCo-スパッタ成膜も容易に行えます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多反応多層膜も再現良く成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。
- 用途/実績例
- 各種成膜試験研究用途に 新たな素材探索用途に ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・ScAlNなどの合金反応膜
受託成膜サービス（高品位反応膜などの試験成膜）
- 概要
- ー ご研究過程でのアイデアを実現するテクノロジー ー イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール →スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 →ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 →各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 →ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜 --- リアクティブ成膜時の 広大なプロセスウインドウ --- --- 低温成膜とストレスコントロール---
- 用途/実績例
- 各種成膜試験研究用途に 新たな素材探索用途に ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・AlScN
Plasma Quest Limited 企業紹介
- 概要
- 高密度イオンソースの開発製造 ターゲットバイアス印加によるスパッタ装置の開発製造
- 用途/実績例
- スピントロニクス用途研究 高磁性薄膜ヘッド用途研究 MEMS開発研究 光学薄膜研究
-
ティー・ケイ・エス株式会社
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