半導体レーザ - 企業ランキング(全35社)
更新日: 集計期間:2025年08月20日〜2025年09月16日
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企業情報を表示
会社名 | 代表製品 | ||
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製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
・オール半導体レーザー方式 ・CW発振 ・1 Watt @ 405 nm ・ビーム品質: M² = 1.15 (典型値) ・コヒーレンス長: > 100 m 可干渉距離 (発振線幅< 1 MHz) ・高い電気/光 変換効率 ・簡単なボタン操作のみの直観的なユーザインターフェース ・各種リモート制御機能 | ・ホログラフィ ・リソグラフィ ・レーザー直接描画 ・バイオイメージング ・非熱微細加工 | ||
原子レーザー冷却 & トラッピング イオンレーザー冷却 & トラッピング BEC(ボーズアインシュタイン凝縮) フェルミ縮退気体 光時計 リュードベリ励起 (Rydberg資料 レーザーソリューションのご案内) 光励起 & EIT 基本定数計測 光干渉計測 量子通信 & 暗号 量子情報 量子ドット & マイクロキャビティ 磁界測定 | |||
・波長:633nm (405nmモデルもご用意しています) ・出力:50mW(空間)、25mW(ファイバ) ・線幅:5MHz以下(0.01pm以下) ・可干渉距離:25メートル以上 ・強度ノイズ:≤ 0.1% @ 10 Hz - 10 MHz ・偏光特性:直線偏向(水平)、100:1以上 ・光アイソレータ内蔵 ・CHARM周波数安定化機能内蔵 | ■超精密度量衡計測 □散乱光測定法 ■光干渉計測 & ホログラフィ □高分解能ラマン分光 ■量子暗号 □光ダウンコンバージョン法 | ||
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- 代表製品
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405nm / CW / 1W 高出力半導体レーザー
- 概要
- ・オール半導体レーザー方式 ・CW発振 ・1 Watt @ 405 nm ・ビーム品質: M² = 1.15 (典型値) ・コヒーレンス長: > 100 m 可干渉距離 (発振線幅< 1 MHz) ・高い電気/光 変換効率 ・簡単なボタン操作のみの直観的なユーザインターフェース ・各種リモート制御機能
- 用途/実績例
- ・ホログラフィ ・リソグラフィ ・レーザー直接描画 ・バイオイメージング ・非熱微細加工
※動画公開中※ 波長可変半導体レーザー 『DL pro』
- 概要
- 用途/実績例
- 原子レーザー冷却 & トラッピング イオンレーザー冷却 & トラッピング BEC(ボーズアインシュタイン凝縮) フェルミ縮退気体 光時計 リュードベリ励起 (Rydberg資料 レーザーソリューションのご案内) 光励起 & EIT 基本定数計測 光干渉計測 量子通信 & 暗号 量子情報 量子ドット & マイクロキャビティ 磁界測定
HeNeレーザーの置き換えに! 高出力633nm半導体レーザー
- 概要
- ・波長:633nm (405nmモデルもご用意しています) ・出力:50mW(空間)、25mW(ファイバ) ・線幅:5MHz以下(0.01pm以下) ・可干渉距離:25メートル以上 ・強度ノイズ:≤ 0.1% @ 10 Hz - 10 MHz ・偏光特性:直線偏向(水平)、100:1以上 ・光アイソレータ内蔵 ・CHARM周波数安定化機能内蔵
- 用途/実績例
- ■超精密度量衡計測 □散乱光測定法 ■光干渉計測 & ホログラフィ □高分解能ラマン分光 ■量子暗号 □光ダウンコンバージョン法
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