故障解析 - 企業ランキング(全5社)
更新日: 集計期間:2026年05月20日〜2026年06月16日
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| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| 【その他のPWT2400A装置概要】 ■JESD51-14に準拠した測定法によるTj測定 ■試験中に自動で過渡熱抵抗測定の実施 ■TOパッケージ用の治具を標準で装備 | |||
パワーデバイスの故障解析
応相談 |
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨 Siチップサイズ:200um~15mm ・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応 感度:数十pA 低倍最大視野:6.5... | ・ボンディング起因の不良 異物のアタック、応力によるクラック ・ICプロセス起因の不良 各層パターンニング、ソースAl不良、異物混入、ゲート酸化膜破壊、転位 ・FIB-SEMによる拡散層観察 | |
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- 代表製品
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パワーサイクル試験による接合部の信頼性評価と故障解析
- 概要
- 【その他のPWT2400A装置概要】 ■JESD51-14に準拠した測定法によるTj測定 ■試験中に自動で過渡熱抵抗測定の実施 ■TOパッケージ用の治具を標準で装備
- 用途/実績例
信頼性試験によるスペック確認と故障解析
- 概要
- 用途/実績例
パワーデバイスの故障解析
- 概要
- ・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨 Siチップサイズ:200um~15mm ・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応 感度:数十pA 低倍最大視野:6.5...
- 用途/実績例
- ・ボンディング起因の不良 異物のアタック、応力によるクラック ・ICプロセス起因の不良 各層パターンニング、ソースAl不良、異物混入、ゲート酸化膜破壊、転位 ・FIB-SEMによる拡散層観察
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株式会社アイテス