アイテスの企業情報

SiC 潜在欠陥拡張検査装置

UVレーザー照射によりバイポーラ劣化を再現！通常2か月かかるサンプル評価を、2日で代替可能です

当製品は、UVレーザー照射によりこれまで通電しなければ顕在化されなかった 欠陥をあぶり出し、研究開発の評価サイクルを短縮するSiC欠陥検査装置です。 【特長】 ■UV照射 ・チップのような小さいサイズからウエハ全面まで均一なレーザ照射を実現 ・エピ厚、ドーピング濃度からホール濃度を計算し、電流密度に相当する放射照度を提案 ■PL測定機能 ・380nm、420nm、over700nmの波長で欠陥を多角的に観測 ・画像処理技術により積層欠陥の発生箇所、分類が可能（バッファー層、ドリフト層、基板界面） ・欠陥発生箇所座標付きマッピング機能付き ※まずはお気軽に、トライアル測定（無償）をご検討ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

パワーデバイス故障箇所・Slice＆View 三次元再構築

故障箇所の三次元像を再構築する事により、破壊された構造の全貌を観察！

FIB-SEMのSlice＆View機能を用いた、故障箇所の三次元再構築について ご紹介いたします。 構造物の連続SEM画像を取得し、得られた像を三次元構築ソフト(Avizo)で、 SEM画像間のパターンの位置ズレを補正し立体的に可視化。 故障箇所に対して断面出しをする位置特定技術とSlice＆View機能を 組み合わせることで不良状態を保持して異常部前後の情報を含めた 連続SEM画像を取得することができます。 【掲載内容】 ■Slice＆Viewと三次元再構築について ■OBIRCHにより特定した故障箇所の連続SEM観察と三次元再構築 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。