インフィニオン、産業用アプリケーション向けに高電力密度を実現する、Q-DPAKパッケージのCoolSiC MOSFET 1200V G2を発表
インフィニオンテクノロジーズは、トップサイド冷却(上面放熱、TSC)
Q-DPAKパッケージのCoolSiC MOSFET 1200V G2を発表しました。
この新デバイスは最適化された熱性能、システム効率、電力密度を提供します。
これは、EV充電器、太陽光発電インバーター、無停電電源装置(UPS)、
モータードライブ、ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)など、
高い性能と信頼性に対する要求の厳しい産業用アプリケーション向けに
設計されています。

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