FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル

高温環境下での信頼性を保証する自動車、産業用ロボット向け不揮発性メモリ

125℃での動作を保証するFeRAMファミリーとしては最大メモリ容量となる 2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を 開始しました。 本製品は125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数を 保証する不揮発性メモリです。 リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、 かつ、停電時でもデータが消えません。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS2MTY ・容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.8V～3.6V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） ・パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN ・品質規格：AEC-Q100グレード1準拠 ■用途例 ・エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車 ・産業用ロボット

• メモリ

UHF帯の電波を使ったワイヤレス給電により、バッテリーレス（電池レス）の無線デバイスを実現

当社のバッテリーレスソリューションは、当社不揮発性メモリFeRAM製品を 搭載したRFIDの給電の仕組みを利用し、タグ側に付加したデバイスを バッテリーなしで動作させる技術です。 お客様のアプリケーションに沿ったソリューションを提供します。 ■バッテリーレスソリューションによる効果 ＜ユーザーからのメリット＞ 　・電池交換不要（購入不要、確保不要） 　・ケーブルレスによりモビリティ向上、置き場所の自由度が向上 ＜機器開発メーカーのメリット＞ 　・電池ボックス削減により、デザイン性（薄型化、小型化）の自由度が 　　上がる 　・防水、防塵加工が容易となる

• メモリ

-55℃での低温動作を保証する64Kビット FeRAMを開発。 極寒地で信頼性の高い動作が要求される産業機械向けに最適

当社は、-55℃という非常に低い温度環境下での動作を保証するメモリ として、64KビットFeRAM 「MB85RS64TU」を開発し、量産品を 提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジの動作電圧範囲をもち、 競合メモリよりも低温動作が可能な不揮発性メモリです。 -55℃の低温でも10兆回のデータ書換え回数を保証しており、 特に極寒地域での天然ガスやオイルの発掘に使われるフィールド装置 などの産業機械向けとして最適です。 ■主な仕様 　・製品名： MB85RS64TU 　・容量（メモリ構成）： 64Kビット（8K x 8ビット） 　・インタフェース： SPI（シリアル・ペリフェラル・インタフェース） 　・動作周波数： 最大 10MHz 　・動作電源電圧： 1.8V～3.6V 　・動作温度範囲： -55℃～+85℃ 　・書込み/読出し保証回数： 10兆回 　・パッケージ： 8ピンSOP、8ピンSON ■用途例 本FeRAMは低温環境下だけではなく、一般的な計測機器、流量計、 ロボットなどの産業分野にも利用できます。

• メモリ

5V動作の温度センサーを使用する車載および産業機械向けに最適

当社は、125℃動作を保証するFeRAM製品ファミリーでは初の電源電圧が 5Vの製品として、SPIインターフェースをもつ64Kビット FeRAM 「MB85RS64VY」を開発しました。 ■主な仕様 　・製品名：MB85RS64VY 　・容量（メモリ構成）： 64Kビット（8K x 8ビット） 　・インターフェース： SPI 　　（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 　・動作周波数： 最大33MHz 　・動作電源電圧： 2.7V～5.5V 　・動作温度範囲： -40℃～＋125℃ 　・書込み/読出し保証回数： 10兆回（1013回） 　・パッケージ： 8ピンSOP、8ピンSON ■用途例 温度センサーなど5V動作の電子部品が使用されている車載向け 電装品および産業機械向けに最適です。

• メモリ

不揮発性メモリFeRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発。産業機械向けSRAMの置き換えにより、バッテリーの削減に貢献

当社は、FeRAM の製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8Mビット FeRAM「MB85R8M2T」を開発しました。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレル インターフェースをもつ不揮発性メモリです。 これまでの最大4MビットFeRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の 8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能な メモリです。 工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用して いるSRAMを、本FeRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、 メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの 削減に貢献できます。 ■主な仕様 　・製品名：MB85R8M2T 　・容量（メモリ構成）：8Mビット（512K x 16ビット） 　・インターフェース：パラレルインターフェース 　・動作電源電圧：1.8V～3.6V 　・動作温度範囲：-40℃～＋85℃ 　・書込み/読出し保証回数：10兆回 　・パッケージ：48ピンFBGA （8 mm × 6 mm）

• メモリ

業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適

当社は、ReRAMの量産製品としては世界最大容量となる8Mビット ReRAM、 “MB85AS8MT”を提供開始します。 本製品は、1.6Vから3.6Vのワイドレンジの電源電圧をもち、EEPROM互換 のコマンドおよびタイミングで動作するSPIインターフェースの 不揮発性メモリで、大きな特長としては、5MHz動作時の平均読出し 電流が0.15mAと非常に小さくデータの読出し動作が頻繁な電池駆動の アプリケーションでは電池の消耗を最小限にできます。 ■主な仕様 ・製品名：MB85AS8MT ・メモリ容量（構成）：8Mビット（1M ワード x 8ビット） ・インターフェース：SPI (Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧：1.6V～3.6V ・動作周波数：最大10MHz ・読出し動作電流：0.15mA（平均値、 5MHz動作時） ・ライトサイクル時間：10ms ・ページサイズ：256Byte ・書込み保証回数：100万回 / 読出し保証回数：無限回 ・データ保持特性：10年（+85℃） ・パッケージ：11ピンWL-CSP、 8ピン SOP

• メモリ

バッテリーレスソリューション

当社は、E Ink Holdings Inc.と共同で、電子ペーパーディスプレイの 表示をUHF帯無線給電により、バッテリーレスで書換えることが可能な 技術を開発しました。 近接通信のNFCと違い、このUHF帯の技術を使用することにより、 従来密着のみであったデータ書換え時の通信距離を大幅に改善し、 電子ペーパーとUHF帯RFIDを組み合わせた新たなアプリケーションの 創造が期待できます。 ■特長 このバッテリーレス電子ペーパータグ新技術は、当社のバッテリーレス ソリューション向けの UHF帯 RFID LSI「MB97R8110」によって 実現されています。 MB97R8110のユーザーメモリ領域には、不揮発性、高速書込み、 低消費電力を特長にもつFeRAMを使用しています。 従来の電子ペーパータグは、あらかじめ内蔵メモリに保存された データを表示するだけでしたが、FeRAMを使用することで、 画像データを任意に転送、かつ短時間で書換えることを可能と しています。

• ＩＣタグ

信頼と実績 ～高品質・高信頼性のメモリ～

当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能のメモリLSIを、永年にわたって提供しています。近年の小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、メモリを組み合わせた最適なソリューションも提案しています。

• メモリ

東京, 2026年1月18日 - (JCN Newswire) - デジタル資産が「魂」を失いつつある現代において、Kamirai（カミライ）は新たなデジタル主権の夜明けを宣言します。分散型金融（DeFi）の混沌とした自由と、日本神話の規律ある美学を架橋するKamiraiは、単なるトークンではありません。それは、ゲーミングと本格的な資産形成が交差する、超映画的（ハイパーシネマティック）なエコシステムへの入り口です。 Kamirai財団は本日、プレセールの正式開始を発表いたしました。名誉、希少性、そして実用性の上に築かれたこのプロトコルにおいて、早期参入の権利を確保する唯一の機会となります。 参加方法： プレセールは以下の公式ウェブサイトにて現在進行中です。 公式URL: www.kamirai.io

セリウム研磨材の資料を久々に更新しました。 昨今のレアアース問題に関しても情報提供しております。 是非、ご参考にご一読下さい。よろしくお願い申し上げます。

株式会社スプライン・ネットワーク（本社：東京都渋谷区、代表取締役社長：雪野 洋一）は、同社が企画・ 販売するクラウド型フルマネージド Wi-Fi Security ソリューション： WiSAS)の常時監視サービス： WiSAS NORA に、2026 年 1 月 20 日から 24H365D オプション機能が追加されることを発表します。

ドコモFOMA（3G) が2026年3月で終了を予定されていることに伴い、弊社製品への影響および対応方法についてお知らせいたします。 詳細は添付のPDFファイルをご参照ください。

シルセスキオキサンの処理温度と分子構造と誘電率などの物性の関係についてのお話です。 合成した新規シルセスキオキサンは処理温度が100℃⇒200℃⇒300℃と高くなるにつれ、誘電率も誘電正接も小さくなったようです。 詳しくは、下記関係リンクへ https://banyohkagaku.co.jp/infodetail?wgd=news-162&wgdo=date-DESC,sort-ASC