電荷を持たない中性ビームを生成。 英国オックスフォードアルライドリサーチ社製
ビームを中性化することで、これまで電荷粒子が問題になっていた誘電体や半導体への照射やエッチングプロセスにも最適です。 ≪用途≫ ■成膜前の基盤クリーニング ■常温接合前のサンプルクリーニング、表面の活性化 ■半導体基板等のエッチング ■微細加工 ■リアクティブアトムビームエッチング ≪特長≫ ■電荷を持ったイオンによる衝撃と異なり、絶縁物や半導体試料にもチャージダメージなし ■ビームが電荷を持たないので、電場や磁場中でも曲がらず直進します
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基本情報
ＡｒやＸｅのような不活性ガスによる基板のクリーニング、スパッタエッチング、常温接合などに利用出来ます。 ※仕様・寸法についてはカタログをダウンロード下さい。
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