高性能ダイオード 「ピンダイオード」のご紹介です。
高性能ダイオード 「ピンダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【仕様】 ○Storage Temperature: -65°C to +175°C ○Operation Temperature: -65°C to +150°C ○Power Dissipation: 250 mW ○Beam Terminal Strength: Planar- 4 grams minimum / Mesa- 6 grams minimum 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
【特徴】 ○Breakdown voltage (VB) is measured at 10μA of reverse bias current. ○Junction capacitance is measured on a 1 MHz Boonton capacitance bridge. ○Series resistance is measured at 1 GHz using transmission loss techniques. ○Minority carrier lifetime is measured with IF = 10mA and IR = 6 mA at the 90% recovery point. ○Switching time is measured between IF = 1 0 m A and VR = 10 volts. ○Available in various package styles. ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
価格情報
お問い合わせ下さい。
納期
※お問い合わせ下さい。
用途／実績例
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
カタログ（1）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
「心地よいお取引き - Amicable Business -」をモットーに 私共は海外の高性能部品をお客様に評価していただける 価格にて提供できるよう日々活動しております。 海外の取引先と綿密なコミュニケーションを行い、 ご要望に合った製品を供給するだけでなく、技術面も含め、 トータル的なサポートをしております。 日本に代理店がなく、入手方法がわからないような メーカーの製品に関しても幅広く対応しております。