中国製GaAs 単結晶GaAsウエハ 高純度GaAsポリ
高純度のGaAsポリ（Poly）をご提供いたします。 又、Φ2”～Φ4”の単結晶GaAsインゴット、ウェハーもご提供いたします。
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基本情報
＜GaAs単結晶＞ 製法：VGF サイズ：Φ2”～Φ4” タイプ：N 結晶方位：（100）、他 Mobility：≧2000cm2/v.s（アンドープ型は、≧4000cm2/v.sなど） 厚み：295μm（ご指定可能です） 表面仕上げ：エピーレディー研磨 ※インゴットもご提供可能です。 ー・－・－・－・－・－・－・－・－・－・－・－・－・－・－ ＜GaAsポリ＞ 製法：HB 純度：6N タイプ：N型 Mobility（cm2/v.s）≧4500 キャリア濃度(/cm-3)：1E15～1E16 形状：D型 サイズ：60x45x400mmL（ご指定可能です） http://www.doujinsangyo.jp/products/GaAs.html
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
~ 1ヶ月
用途／実績例
各種デバイス基板： 高周波デバイス、発光デバイス、磁電用、受発光や耐放射線用、他
企業情報
● 同人産業は、各種半導体材料及び精密加工をご提供しております。 シリコン、サファイア、単結晶SiC、GaN、GaAs、CVDダイヤモンド、水晶、石英、アルミナ、窒化ケイ素、多結晶SiC、AlN、ネオジム磁石、ワイヤソー装置などを取り扱っており、結晶成長からウェハー加工まで一貫生産できる体制を整備しております。Semi標準規格は勿論のこと、カスタム対応も可能であり、サイズや仕上げ、数量のご要望に対し柔軟に対応できることが強みでございます。 ● 同人産業は、素材調達から加工までグローバルに事業展開しております。 海外のグループ会社や提携会社、人脈からくる強力な支援は弊社調達能力の重要なバックボーンとなっております。20年以上に亘る日中韓台貿易の経験を生かして、強力な貿易ノウハウとネットワークを構築しております。 ●同人産業は、新商品、新しいルートの新規開拓にも力を入れております。 幅広い視野と柔軟な発想を持ち、次世代半導体材料の無限の可能性を追求し続けます。 新商品開発、新規分野への挑戦、グローバルな発展、我々は、変化をおそれず、進化を求め常に新しいことにチャレンジし成長し続けます。