次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。
株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』 のご紹介です。 シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も 約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも 使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 【特長】 ■シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍広い ■絶縁破壊電圧も約10倍 ■耐圧1600V ■青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生 ■各種光デバイスにも使用される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【ウェハー仕様（抜粋）】 ■ディアメーター：Φ50.8±1mm ■厚さ：350±25μm ■オリエンテーション：C軸（0001）M軸に対するオフ角0.35±0.15° ■比抵抗（300K） ・N型未ドープ：<0.5Ω・cm ・N型Siドープ：<0.05Ω・cm ・Feドープ半絶縁性：1×10^6 Ω・cm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報
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納期
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