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Wafer ATRにおけるシリコンウェハー表面の高精度分析

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最終更新日:2024年12月02日

ブルカージャパン株式会社 オプティクス事業部
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【無料プレゼント】MIRS法を応用した新たなアプローチである製品をご紹介

シリコンウェハー (Si ウェハー)表面の特性は、材料としての機能性に 大きく影響し、とくにウェハー表面に形成される各種薄膜の化学的評価が ますます重要となっています。 当資料で紹介する「Wafer ATR」は、いわゆるMIRS法を応用した新たな アプローチであり、フランス原子力庁電子情報研究所CEA-Letiの グループとの研究成果を製品化したものです。 【掲載内容】 ■はじめに ■Wafer ATR(ウェハーATR)  ・多重内部反射による感度の向上  ・測定時の必要事項 ■測定例 ■判別分析 ■まとめ ■参考文献 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Wafer ATRにおけるシリコンウェハー表面の高精度分析

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Wafer ATRにおけるシリコンウェハー表面の高精度分析

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オプティクス事業は1960年、ブルカーグループの赤外分光分析部門として、ドイツにおいてスタートしました。高い設計思想をベースに開発された製品群は、生産管理や品質保証を目的として日常的に利用される専用機から、先端材料の研究開発において威力を発揮するリサーチモデルまで多岐に渡ります。ドイツ・エットリンゲンを開発製造の拠点として、グローバルな販売・サービスネットワークを通じてお客様の様々なニーズにお応えしています。

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