広波長範囲対応のポッケルスセル
BBO結晶ベースのポッケルスセルで、UVから２μｍ以上の広い波長範囲で利用可能です。 BBO結晶の低い電気光学係数は高い動作電圧をもたらします。λ/4印加電圧は電極間隔と結晶長の比に比例するので、結果として、より小さな開口部のデバイスはより低いλ/4印加電圧を有しますが、2.5 mm開口部デバイスでもλ/4印加電圧は1064 nm時で4 kVと同じくらい高くなります。 必要な電圧を低減し、高速スイッチング時間で1/2波長モードでの動作を可能にするために二重結晶設計が採用されています。 【特長】 ・最小圧電リンギング ・低吸収 ・セラミック開口が利用可能 ・200 nmから2000 nmまでの広い透過範囲 ・コンパクトサイズ
この製品へのお問い合わせ
基本情報
ポッケルスセルは、BBO結晶のような電気光学結晶の電極に電圧が印加されたときに、それを通過する光の偏光状態を変えるために使用されます。偏光子と組み合わせて使用すると、ポッケルスセルは高速光スイッチとして使用できます。 代表的な用途に、レーザ共振器のQスイッチング、レーザー共振器のダンピング、および再生増幅器からまたは再生増幅器への光の結合があります。 低圧電リンギングは、これらのポッケルスセルによる高出力および高繰り返しパルスレーザーの制御を魅力的にさせます。ポッケルスセルに適切に適合する高速スイッチング電子ドライバは、Qスイッチング、キャビティダンピングおよび他の用途にも利用可能です。
価格帯
納期
※お気軽にお問い合わせください。
用途／実績例
・高繰り返しDPSS Qスイッチ ・高繰り返し再生増幅器制御 ・キャビティダンピング ・ビームチョッパー
ラインアップ（17）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| 1040-1070nmレンジ、高出力・高繰り返しレーザー用 | |
| PCB3S-C-1064 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB4S-C-1064 | 結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB3S/25-C-1064 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB8D-C-1064 | 結晶サイズ 8 x 8 x 20 mm、結晶数 2 |
| 1020-1040nmレンジ、Yb host fsレーザー用 | |
| PCB3S-C-1030 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB4S-C-1030 | 結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB3S/25-C-1030 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB8D-C-1030 | 結晶サイズ 8 x 8 x 20 mm、結晶数 2 |
| 770-820nmレンジ、Ti:Sapphire fs1レーザー用 | |
| PCB3D-C-800 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 2 |
| PCB3S-C-800 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB4D-C-800 | 結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数 2 |
| PCB4S-C-800 | 結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数 1 |
| PCB3D/25-C-800 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 2 |
| PCB3S/25-C-800 | 結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数 1 |
企業情報
MSHシステムズ株式会社は、国内外の最先端の科学技術やその製品群を、いち早く日本の大学や研究機関、企業のお客様へご紹介・ご提供し、より豊かな未来社会の実現に貢献致します。 科学・技術分野での30年にわたる販売・サービス経験、およびお客様との強い信頼関係と責任ある実行力で、皆様方との良きパートナーとなるべく全力で行動します。お客様とメーカーは勿論、私たちは関わって頂ける全ての方々にご満足頂くことが、私たちの最終ゴールです。