レーザー電力変換ダイオードはGaAsを用いて高性能な光電力変換ダイオードです。波長領域810～860nmの単色光を電力に変換。
GaAsレーザー電力変換ダイオードは高性能な光電力変換ダイオードです。この光学電力伝送は自由空間やオプティカルファイバで実施することができます。出力電圧は3V～8Vで電力変換効率は60％以上です。用途としては、ガルバニック絶縁、避雷保護、電磁干渉耐性を必要とする各種センサ用電源やスマートフォン等へのワイヤレス充電に使用可能です。
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基本情報
GaAsレーザー電力変換ダイオードの特性は以下のとおりです。 １．機械特性 ・チップサイズ： 1.8ｘ1.8mm^2（他のサイズにも対応可能） ・有効面積： 直径1.5ｍｍ ・厚み： 450µm±20µm ・サブストレート： GaAs ・ARコーティング： TiOx/AlOx ・使用温度範囲： -40℃～+125℃ ・保管温度範囲： -40℃～+150℃ ２．電気及び光学特性（LP3の一例） ・変換効率： 62.5％ ・開放電圧： 3.7V ・短絡電流： 190ｍA ・最大電力： 0.6W ・最大感度の波長： 860nm ・感度の波長域： 780～880nm ・最大照度： 200W/cm^2 *上記値は波長810nm、照度50W/cm^2、温度25℃のときの値 上記以外にも別の電圧、電流、チップサイズのものもございます。 なお、チップでの提供が基本ですがパッケージ（TOやFC/PC）でも提供することが可能です。
価格情報
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納期
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用途／実績例
過酷な環境で使用するセンサやワイヤレス給電等
企業情報
先端技術研究所は世界及び日本のロケットや人工衛星等の宇宙開発と宇宙利用を支援するエンジニアリング会社です。超小型から大型までの人工衛星やロケット等の宇宙機システム、サブシステム及びその部品の設計・開発から海外の宇宙機器の販売まで幅広く実施しております。また、宇宙及び地上用の太陽電池の販売、宇宙用太陽電池パネルの設計・開発と地上用太陽光発電モジュール及びシステムの販売を実施しております。 超小型衛星、CubeSat、につきましては、1U～12Uのシステム開発及びバス部の提供、バス機器の設計・開発、衛星の組立、ペイロードを含む衛星のインテグレーション・試験の実施。また、CubeSatや小型衛星用小型電気推進器の設計・開発・販売を実施。