汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
ハイパワー向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。 安全にドライブできるように高Vthとなっております。
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基本情報
・650V Tjmax 150℃ ・Vth 4V ・TO-247
価格帯
~ 1万円
納期
※数量によって納期が変動しますので、お気軽にお問い合わせください。
用途／実績例
・1.5kW～3.3kW帯の高効率電源
ラインアップ（2）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| TP65H035WS | 650V 35mΩ |
| TP65H050WS | 650V 50mΩ |
企業情報
トランスフォーム・ジャパン株式会社は、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスのリーディングカンパニーtransphormの日本法人です。 650V耐圧のGaNパワートランジスタをラインナップし、GaNチップの製造は日本国内（会津若松市）のIATF16949およびISO9001認証取得済みの量産工場で行っています。 幅広い定格のGaNパワーデバイスを通じ、電気エネルギーの高効率利用や機器の小型化の追求に貢献し、人類と地球環境に貢献します。
