弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。
化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや 高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、 パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする事も行っています。 【加工詳細】 ■加工素材 ・SiC ・GaN ・GaP ・GaAs ・GaSb ・ZnS ・ZnSe ・ZnTe ・パターン付きウェーハの裏面加工など ■仕上がり厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値：GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。
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パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 まずはお気軽にお問い合わせ下さい。
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EXCEED エクシードには、すべてを超えるという意味があります。 その意味をもつ私達の社名は、そのまま私達の仕事への姿勢やこだわりを物語っています。 常に限界を超える研磨技術を探究し、研磨の世界を究めたいと考えています。 より平坦に、より滑らかに、より薄く、より美しく。 様々な分野を超える研磨技術と蓄積と経験から新しい可能性が生まれるのです。